H - Electricity – 01 – H
Patent
H - Electricity
01
H
H01H 59/00 (2006.01) H01H 49/00 (2006.01) H01H 1/20 (2006.01)
Patent
CA 2155121
A bridging member (18) extending across a cavity (16) in a semiconductor substrate (12) (e.g. polycrystalline silicon) has successive layers - a masking layer (20), an electrically conductive layer (22) (e.g. polysilicon) and an insulating layer (24) (eg. SiO2). A first electrical contact (32) (e.g. gold coated with ruthenium) extends on the insulating layer in a direction perpendicular to the extension of the bridging members across the cavity. A pair of bumps (34) (e.g. gold) are on the insulating layer each between the contact and one of the cavity ends. Initially the bridging member (18) and then the contact (32) and the bumps (34) are formed on the substrate and then the cavity (16) is etched in the substrate through holes in the bridging member. A pair of second electrical contacts (44) (e.g. gold coated with ruthenium) are on the surface of an insulating substrate (14) (e.g. pyrex glass) adjacent the substrate. The two substrates are bonded after the contacts are cleaned. The first contact (32) is normally separated from the second contacts (44) because the bumps(34) engage the insulating substrate surface. When a voltage is applied between an electrically conductive layer on the insulating substrate surface and the polysilicon layer, the bridging member (18) is deflected so that the first contact (33) engages the second contacts (44). Electrical leads extend on the surface of the insulating substrate from the second contacts to bonding pads disposed adjacent a second cavity in the semiconductor substrate. The resultant relays on a wafer may be separated by sawing the semiconductor and insulating substrates at the position of the second cavity in each relay to expose the pads for electrical connections.
Un élément de liaison (18), s'étendant à travers une cavité (16), dans un substrat à semiconducteurs (12), (par exemple en silicium polycristallin) comporte des couches successives - une couche de masquage (20), une couche conductrice électriquement (22), (par exemple en polysilicium) et une couche isolante (24) (par exemple SiO2). Un premier contact électrique (32), (par exemple de l'or revêtu de ruthénium) s'étend sur la couche isolante dans un sens perpendiculaire à celui de l'élément de liaison à travers la cavité. Une paire de bosses (34) (par exemple en or) est disposée sur la couche isolante chacune entre le contact et une des extrémités de la cavité. On réalise initialement sur le substrat l'élément de liaison (18) et, ensuite, le contact (32) et les bosses (34), puis on grave la cavité (16) par attaque chimique dans le substrat à travers des orifices de l'élément de liaison. Une paire de deuxièmes contacts électriques (44) (par exemple de l'or revêtu de ruthénium) se trouve sur la surface d'un substrat isolant (14) (par exemple en verre pyrex) contigu au substrat à semiconducteurs. Les deux substrats sont collés après nettoyage des contacts. On sépare normalement le premier contact (32) des deuxièmes contacts (44), étant donné que les bosses (34) viennent en contact avec la surface du substrat isolant. Quand on applique une tension entre une couche conductrice de la surface du substrat isolant et la couche en polysilicium, l'élément de liaison est défléchi (18), de telle manière que le premier contact (33), vient en contact avec le deuxième contact (44). Des fils électriques s'étendent sur la surface du substrat isolant depuis les deuxièmes contacts vers des pastilles de connexion situées en position contiguë à une deuxième cavité du substrat à semiconducteurs. On peut séparer les relais obtenus sur une tranche en découpant le semiconducteur et les substrats isolants au niveau de la position de la deuxième cavité dans chaque relais, de façon à découvrir les pastilles pour effectuer les branchements électriques.
James Christopher D.
Katzenstein Henry S.
Brooktree Corporation
Marks & Clerk
LandOfFree
Micromachined relay and method of forming the relay does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Micromachined relay and method of forming the relay, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Micromachined relay and method of forming the relay will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1553856