H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 39/22 (2006.01) H01L 39/14 (2006.01) H01L 39/24 (2006.01)
Patent
CA 2077047
For manufacturing a superconducting thin film having at least one non-superconducting region at and near its surface portion, an oxide superconductor thin film is formed on a surface of the substrate. The oxide superconductor thin film is heated in high vacuum environment so that oxygen of the oxide superconductor crystals escapes from the surface of the oxide superconductor thin film and a surface portion of the oxide superconductor thin film having a substantial thickness changes into non-superconducting layer of a compound oxide which is composed of the same constituent elements as those of the oxide superconductor but includes the oxygen amount less than that of the oxide superconductor and a thin superconducting channel is formed under the non-superconducting layer. A portion of the non-superconducting layer, which will become the non-superconducting region is selectively masked, and heated in an oxidation atmosphere so that oxygen penetrates into the non-superconductor layer from exposed surface and the compound oxide of the exposed portion of the non-superconductor layer changes into the oxide superconductor which is electrically connected to the superconducting channel.
Pour la fabrication d'un film mince supraconducteur ayant au moins une région non supraconductrice sur une partie de sa surface ou près de sa surface, un film mince d'oxyde supraconducteur est formé sur une surface du substrat. Le film mince d'oxyde supraconducteur est chauffé dans un environnement sous vide très poussé de manière que l'oxygène des cristaux d'oxyde supraconducteur s'échappe de la surface du film mince d'oxyde supraconducteur; une partie de la surface du film mince d'oxyde supraconducteur ayant une épaisseur substantielle se transforme en une couche non supraconductrice d'un oxyde composé qui est constitué des mêmes éléments constituants que l'oxyde supraconducteur, mais qui contient moins d'oxygène que l'oxyde supraconducteur, et un mince canal supraconducteur est formé sous la couche non supraconductrice. Une partie de la couche non supraconductrice, qui deviendra la région non supraconductrice, est masquée sélectivement et chauffée dans une atmosphère favorable à l'oxydation de la surface exposée et l'oxyde composé de la partie exposée de la couche non supraconductrice se transforme en oxyde supraconducteur qui est relié électriquement au canal supraconducteur.
Iiyama Michitomo
Tanaka So
Bereskin & Parr
Sumitomo Electric Industries Ltd.
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