G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 11/409 (2006.01) G11C 7/00 (2006.01) G11C 27/00 (2006.01)
Patent
CA 2207004
A gate-follower storage cell (12) and a diode-connected storage cell (32) for use in integrated circuit analog signal recording and playback is disclosed. The gate-follower storage cell (12) is used in negative feedback mode to provide a one to one variation between the cell threshold and the gate voltage in the read mode. The diode-connected storage cell (32) is connected in a diode configuration to provide a one-to-one variation between the cell threshold and the gate voltage in the read mode. The gate-follower or diode- connected storage cells may be implemented in a memory array for storing analog signals. In a preferred embodiment, the memory array provides wordlines which are accessible through column drivers (52). Each row or wordline is divided into a plurality of sector wordlines by inserting select transistors in the array. Each sector is driven by a column driver (52). In the read and programming modes, the sector wordlines are isolated from each other and are provided to the column drivers (52) through additional select transistors. Only one memory cell from each sector wordline is read or programmed at a given time. In the erase mode, all sectors of a wordline are connected together through the select transistors, so that the erase operation may be accomplished for a complete row at a given time.
L'invention concerne une cellule de mémoire (12) suiveuse de grille et une cellule de mémoire (32) connectée à une diode conçues pour être utilisées afin d'effectuer l'enregistrement et la reproduction de signaux analogiques d'un circuit intégré. La cellule de mémoire (12) suiveuse de grille est utilisée en mode de rétroaction négative, de manière à produire une variation une à une entre le seuil de la cellule et la tension de grille en mode de lecture. La cellule de mémoire (32) connectée à une diode est connectée dans une configuration de diodes, de manière à produire une variation une à une entre le seuil de la cellule et la tension de grille en mode de lecture. Ces cellules peuvent être mises en application dans un ensemble mémoire afin de mémoriser des signaux analogiques. Dans un mode de réalisation préféré, l'ensemble mémoire produit des lignes de mots accessibles par l'intermédiaire de circuits d'attaque (52) de colonnes. Chaque rangée ou ligne de mots est divisée en une pluralité de lignes de mots sectorielles par insertion de transistors de sélection dans l'ensemble. Chaque secteur est commandé par un circuit d'attaque (52) de colonnes. En modes de lecture et de programmation, les lignes de mots sectorielles sont isolées les unes des autres et transférées dans les circuits d'attaque (52) de colonnes par l'intermédiaire de transistors de sélection supplémentaires. Seule une cellule de mémoire de chaque ligne de mots sectorielle est lue ou programmée à un moment donné. En mode d'effacement, tous les secteurs d'une ligne de mots sont reliés les uns aux autres par l'intermédiaire des transistors de sélection, de telle sorte que l'opération d'effacement peut être effectuée pour une rangée complète à un moment déterminé.
Information Storage Devices Inc.
Riches Mckenzie & Herbert Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1605551