G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 11/00 (2006.01) G11C 11/15 (2006.01) G11C 11/16 (2006.01) H01F 10/32 (2006.01)
Patent
CA 2269539
A digital data memory having a bit structure (17) in a memory cell based on a dielectric intermediate separating material with two major surfaces having thereon an anisotropic ferromagnetic thin-film of differing thicknesses (12, 13, 13', 12'). These bit structures (17) are fabricated within structural extent limits to operate satisfactorily, and are fabricated as series connected members of storage line structures. A corresponding conductive word line structure (22) adjacent corresponding ones of these memory cells is selecting or operating them, or both, in data storage and retrieval operations.
Mémoire de données numériques possédant une structure binaire (17) dans une cellule de mémoire basée sur un matériau diélectrique de séparation intermédiaire comportant deux surfaces principales revêtues d'une couche mince ferromagnétique anisotrope de différentes épaisseurs (12, 13, 13', 12'). On fabrique ces structures binaires (17) à l'intérieur de limites, dont l'étendue permet une opération satisfaisante, sous forme d'éléments reliés en série de structures de lignes de mémoire. Une structure correspondante (22) conductrice de lignes de mots contiguë à des cellules correspondant à ces cellules de mémoire, les sélectionne ou les met en service, ou les deux, dans des opérations de mémorisation et d'extraction de données.
Daughton James M.
Everitt Brenda A.
Pohm Arthur V.
Bereskin & Parr
Nonvolatile Electronics Incorporated
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1629655