H - Electricity – 01 – M
Patent
H - Electricity
01
M
H01M 8/12 (2006.01)
Patent
CA 2444417
A SOFC (10) providing higher power densities than PEM-based cells; the possibility of direct oxidation and/or internal reforming of fuel; and reduced SOFC operating temperatures. The SOFC (10) comprises a thin film electrolyte layer (12). A thick film anode layer (18) is disposed on one surface (14) of the electrolyte layer (12); and a thick film cathode layer (20) is disposed on the opposite surface (16) of the electrolyte layer (12). A method of making the SOFC (10) comprises the steps of: creating a well (38) in one side (40) of a dielectric or semiconductor substrate (30); depositing a thin film solid oxide electrolyte layer (12) on the surface of the well (38); applying a thick film electrode layer (18) in the electrolyte coated well (38); creating a counter well (44) in the opposite side (42) of the substrate (30), the counter well (44) abutting the electrolyte layer (12); and applying a thick film counter electrode layer (20) in the counter well (44).
La présente invention concerne une cellule du type SOFC (10) qui assure des densités de puissance supérieures à celles des cellules à base de PEM ; permet une oxydation directe et/ou une reconversion interne du combustible ; et des températures de fonctionnement réduites pour le SOFC. Le SOFC (10) comprend une couche? ¿(12) d'électrolyte à film mince. Une couche (18) d'anode à film épais est prévue sur une surface (14) de la couche d'électrolyte (12) et une couche (20) de cathode à film épais est déposée sur la surface opposée (16) de la couche d'électrolyte (12). Un procédé de production de la SOFC (10) comprend les étapes suivantes : on forme un puits (38) sur un côté d'un substrat (30) diélectrique ou semi-conducteur ; on dépose une couche (12) d'électrolyte à l'oxyde solide à film mince sur la surface du puits (38) ; on applique une couche (18) d'électrode à film épais dans le puits (38) revêtu de la couche d'électrolyte ; on forme un puits inverse (44) sur le côté opposé (42) du substrat (30), le puits inverse (44) venant buter contre la couche d'électrolyte (12) et on applique une couche de contre-électrode (20) à film épais dans le puits inverse (44).
Hewlett-Packard Company
Sim & Mcburney
LandOfFree
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