H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/66 (2006.01)
Patent
CA 2238533
The present invention comprises a method of characterizing a group III-V epitaxial semiconductor wafer in a characterization profiling apparatus having an electrolytic cell. The wafer contains at least a group III-V compound first- layer and a thin etch stop layer atop of the first layer and at least one second layer atop of the etch stop layer having a differing composition from the etch stop layer. The wafer is placed in the electrolytic cell and the surface of the at-least second layer is etched with a citrate buffer solution of citric acid and a salt of citric acid under anodic bias conditions. The etchant is highly selective and etching terminates upon reaching the etch stop layer. A Schottky diode is formed between the wafer and the solution, and the wafer is characterized in situ by performing capacitance-voltage measurements which are evaluated to determine the threshold voltage of the semiconductor wafer.
La présente invention concerne procédé d'évaluation de tranches de semi-conducteurs épitaxiaux du groupe III-V dans un appareil d'évaluation par profils muni d'une cellule électromytique. La tranche contient au moins une première couche de composé de Groupe III-V et une fine couche écran anti-mordançage au dessus de la première couche, ainsi qu'au moins une deuxième couche au dessus de la couche écran anti-mordançage, la composition chimique de la deuxième couche différant de la composition chimique de la couche écran anti-mordançage. Une fois que la tranche est placée dans la cellule électrolytique, la surface de la deuxième couche au moins subit l'attaque chimique par une solution d'acide citrique tamponné d'un citrate et par un sel d'acide citrique sous des conditions de polarisation anodique. L'agent de mordançage est hautement sélectif et le mordançage se termine lorsqu'il atteint la couche écran anti-mordançage. Il se forme une diode Schottky entre la tranche et la solution, et l'évaluation de la tranche se fait in situ au moyen de mesures capacité-tension permettant de déterminer la tension de seuil de la tranche semi-conducteur.
Smart & Biggar
Watkins-Johnson Company
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1676769