H - Electricity – 05 – K
Patent
H - Electricity
05
K
H05K 3/34 (2006.01) H01L 21/60 (2006.01)
Patent
CA 2343823
The present invention relates to a method of soldering a semiconductor chip to a substrate, such as to a capsule in an RF-power transistor, for instance. The semiconductor chip is provided with an adhesion layer consisting of a first material composition. A solderable layer consisting of a second material composition is disposed on this adhesion layer. An antioxidation layer consisting of a third material composition is disposed on said solderable layer. The antioxidation layer is coated with a layer of gold-tin solder. The chip is placed on a solderable capsule surface, via said gold-tin solder. The capsule and chip are exposed to an inert environment to which a reducing gas is delivered and the capsule and chip are subjected to a pressure substantially beneath atmospheric pressure whilst the gold-tin solder is heated to a temperature above its melting point. The gas pressure is increased whilst the gold-tin solder is molten and the temperature is lowered when a predetermined gas pressure is exceeded, so that the gold-tin solder will solidify.
La présente invention concerne un procédé de soudage d'une puce de semi-conducteur sur un substrat, tel qu'une capsule d'un transistor de puissance FR, par exemple. La puce de semi-conducteur possède une couche adhésive constituée d'une composition de premier matériau. Une couche soudable constituée d'une composition d'un second matériau est déposée sur cette couche adhésive. Une couche antioxydante constituée d'une composition d'un troisième matériau est disposée sur cette couche soudable. La couche antioxydante est revêtue d'une couche de soudure d'étain à l'or. La puce est placée sur une surface de capsule soudable, au moyen de la soudure d'étain à l'or. La capsule et la puce sont exposées à un environnement inerte, auquel un gaz réducteur est ajouté, et elles sont soumises à une pression pratiquement inférieure à la pression atmosphérique pendant que la soudure d'étain à l'or est chauffée à une température supérieure à son point de fusion. La pression de gaz est augmentée tandis que la soudure d'étain à l'or est à l'état fondu, puis la température est abaissée lorsque une pression de gaz prédéterminée est dépassée, de manière à ce que la soudure d'étain à l'or devienne solide.
Marks & Clerk
Telefonaktiebolaget Lm Ericsson
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1687375