H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/203 (2006.01) H01L 31/105 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2120610
A nitride semiconductor device is made using a molecular beam epitaxy crystal growth apparatus having a gas source (7) for supplying a compound including nitrogen in a gaseous state, solid body sources (2, 3, 4) for supplying Group III constituents, and sources (5, 6) for supplying n-type and p-type dopants. A gaseous state compound containing nitrogen, and a Group III constituent is supplied to the surface of a substrate (9), with the substrate (9) at a temperature of 300 to 1000°C, under a pressure of less than 10 -5 Torr to produce a first layer (24, 29, 32, 35, 39, 45, 46, 49) of oriented polycrystalline nitride semiconductor on the substrate (9) at a growth rate of 0.1 - 20 Angstroms/second. Then a gaseous state compound containing nitrogen, and a Group III constituent is supplied to the surface of the first layer with the substrate at a temperature of 300 to 1000°C, under a pressure of less than 10 -5 Torr to produce a single crystal nitride semiconductor layer (25, 26, 30, 31, 33, 34, 36, 37, 38, 40, 41, 42, 47, 48) on the first layer at a growth rate of 0.1 - 10 angstroms/second. The resultant nitride semiconductor device comprises a substrate (23), a first layer of an oriented polycrystalline nitride semiconductor (24, 29, 32, 35, 39) of less than 5000 Angstroms thickness disposed directly on the substrate, an operating layer (25, 26, 30, 31, 33, 34, 36, 37, 38, 40, 41, 42, 47, 48) of a single crystal nitride semiconductor disposed directly on the first layer, and having at least two electrical terminals (27, 28, 43, 44) connected at predetermined locations, with at least one of the terminals (28, 44) connected to the first layer.
On décrit un dispositif semi-conducteur à base de nitrure qui comporte un substrat (23), une première couche comprenant un semi-conducteur à base de nitrure polycristallin orienté (24, 29, 32, 35, 39, 45, 46, 49) formé directement sur le substrat (23) et doté d'une épaisseur inférieure à 5000 Å, des couches opérationnelles (25, 26, 30, 31, 33, 34, 36, 37, 38, 40, 41, 42, 47, 48) composées de semi-conducteurs à base de nitrure monocristallin et formées directement sur la première couche, et des électrodes (27, 28, 43, 44) connectées avec des zones prédéterminées, une de ces électrodes au moins (28, 44) étant connectée à la première couche. On fabrique ce dispositif semi-conducteur avec un équipement de croissance cristalline, selon le procédé épitaxial à faisceau moléculaire, où l'on trouve une source de gaz (7) qui fournit un composé azoté gazeux, des sources de solides (2, 3, 4) qui fournissent des éléments du groupe III, et des sources (5, 6) qui fournissent des dopants de type n et de type p. La première couche est créée sur le substrat (9) à une vitesse de croissance de 0,1 à 20 Å/s en y amenant le composé azoté gazeux et les éléments du groupe III, à une pression inférieure à 10-5 Torr et à une température de substrat de 300 à 1000 C. On crée la couche opérationnelle sur la première couche à une vitesse de croissance de 0,1 à 10 Å/s en y amenant le composé azoté gazeux et les éléments du groupe III, à une pression inférieure à 10-5 Torr et à une température de substrat de 300 à 1000 C.
Hirai Tadahiko
Imai Hideaki
Miyata Kunio
Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha
Goudreau Gage Dubuc
LandOfFree
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