Multiple-input electronic ballast with processor

H - Electricity – 05 – B

Patent

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Details

H05B 41/282 (2006.01) H05B 37/02 (2006.01)

Patent

CA 2556302

A ballast having a microprocessor embedded therein is controlled via four inputs. The ballast includes a high-voltage phase-controlled signal provided by a dimmer and an infrared (IR) receiver through which the ballast can receive data signals from an IR transmitter. The ballast can also receive commands from other ballasts or a master control on the serial digital communication link, such as a DALI protocol link. The fourth input is an analog signal, which is simply a DC signal that linearly ranges in value from a predetermined lower limit to a predetermined upper limit, corresponding to the 0% to 100% dimming range of the load. The output stage of the ballast includes one or more FETs, which are used to control the current flow to the lamp. Based on these inputs, the microprocessor makes a decision on the intensity levels of the load and directly drives the FETs in the output stage.

L'invention concerne un régulateur qui comprend un microprocesseur intégré et qui est commandé au moyen de quatre entrées. Ce régulateur comprend un signal haute tension à phase commandée transmis par un gradateur et un récepteur infrarouge par l'intermédiaire duquel le régulateur peut recevoir des signaux de données d'un émetteur infrarouge. Le régulateur peut également recevoir des commandes d'autres régulateurs ou d'une régie centrale sur la liaison de communication numérique en série, telle qu'une liaison de protocole DALI. La quatrième entrée est un signal analogique qui est simplement un signal de courant continu dont la valeur passe linéairement d'une limite inférieure prédéterminée à une limite supérieure prédéterminée correspondant à la plage de gradation comprise entre 0 % et 100 % de la charge. L'étage de sortie du régulateur comprend un ou plusieurs transistors à effet de champ qui permettent de commander le flux de courant arrivant dans la lampe. Sur la base de ces entrées, le microprocesseur prend une décision sur les niveaux d'intensité de la charge et transmet directement les transistors à effet de champ dans l'étage de sortie.

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