H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 39/22 (2006.01) H01L 29/788 (2006.01) H01L 39/14 (2006.01)
Patent
CA 2054470
For manufacturing a superconducting device, a compound layer which is composed of the same constituent elements of an oxide superconductor is formed on a surface of the substrate, and a gate electrode is formed on a portion of the compound layer. Portions of the compound layer at both sides of the gate electrode are etched using the gate electrode as a mask, so that a shallow step is formed on an upper surface of the compound layer and side surfaces of the step exposed. After that electric power is applied to the gate electrode to heat the gate electrode so as to carry out a heat-treatment on the portion of the compound layer under the gate electrode locally, so that a gate insulator formed directly under the the gate electrode and a superconducting channel which is constituted an extremely thin superconducting region composed of the oxide superconductor and formed under the gate insulator are produced in a self alignment to the gate electrode.
Dans la fabrication d'un dispositif à supraconducteur, une couche composite faite des mêmes éléments constitutifs qu'un oxyde supraconducteur est déposée à la surface d'un substrat et une électrode de commande est formée sur une partie de la couche composite. Des parties de la couche composite des deux côtés de l'électrode de commande sont gravées à l'aide de l'électrode de commande comme masque, de sorte qu'un gradin peu élevé est formé sur la surface supérieure de la couche composite et sur les faces latérales du gradin exposé. Ensuite, un courant électrique est transmis à l'électrode de commande pour élever la température de cette dernière afin d'effectuer un traitement thermique de la partie de la couche composite qui se trouve directement en dessous de l'électrode de commande, de sorte qu'un isolant formé directement sous l'électrode de commande et un canal supraconducteur constitué d'une région supraconductrice extrêmement mince faite avec l'oxyde supraconducteur et formée sous l'isolant, sont produits de façon auto-alignée par rapport à l'électrode de commande.
Iiyama Michitomo
Inada Hiroshi
Nakamura Takao
Bereskin & Parr
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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