Spintronic devices with constrained spintronic dopant and...

H - Electricity – 01 – L

Patent

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Details

H01L 29/15 (2006.01) H01L 29/66 (2006.01)

Patent

CA 2646325

A spintronic device may include at least one superlattice and at least one electrical contact coupled thereto, with the at least one superlattice including a plurality of groups of layers. Each group of layers may include a plurality of stacked base semiconductor monolayers defining a base semiconductor portion having a crystal lattice, at least one non-semiconductor monolayer constrained within the crystal lattice of adjacent base semiconductor portions, and a spintronic dopant. The spintronic dopant may be constrained within the crystal lattice of the base semiconductor portion by the at least one non-semiconductor monolayer. In some embodiments, the repeating structure of a superlattice may not be needed.

L'invention concerne un dispositif spintronique qui peut comprendre au moins un super-réseau et au moins un contact électrique relié audit super-réseau tel que ledit super-réseau comprenne une pluralité de groupes de couches. Chaque groupe de couches peut comprendre une pluralité de monocouches de semi-conducteurs de base empilées formant une partie de semi-conducteur de base présentant un réseau cristallin, et, au moins une monocouche de matériau non semi-conducteur insérée dans le réseau cristallin des parties de semi-conducteurs de base adjacentes, et un dopant spintronique. Le dopant spintronique peut être incorporé dans le réseau cristallin de la partie de semi-conducteur de base en l'intégrant dans ladite monocouche de matériau non semi-conducteur. Dans certains modes de réalisation, la structure répétée du super-réseau peut ne pas être nécessaire.

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