H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 23/28 (2006.01) C30B 25/02 (2006.01) C30B 29/16 (2006.01) G02B 6/13 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01) H01L 39/24 (2006.01)
Patent
CA 2107174
An article of manufacture having an epitaxial (111) magnesium oxide (MgO) layer, suitable for use as a buffer layer, on a (111) surface of a tetrahedral semiconductor substrate, and method for its manufacture is described.. The article may further include an epitaxial oxide overlayer on the (111) MgO layer. The overlayer may be a conducting, superconducting, and/or ferroelectric oxide layer. The method of producing the epitaxial (111) magnesium oxide (MgO) layer on the (111) surface of a tetrahedral semiconductor substrate proceeds at low temperature. The method may further include steps for forming the epitaxial oxide layer on the (111) MgO layer. The methods include the steps of preparing the (111) surface of a tetrahedral semiconductor substrate for deposition and the low temperature depositing of an MgO layer on the prepared surface. Further steps may include the depositing of the oxide layer over the MgO layer.
L'invention est un dispositif comportant une couche épitaxiale (111) d'oxyde de magnésium (MgO) utilisable comme couche tampon à la surface (111) d'un substrat de semi-conducteur tétraédrique. La méthode de fabrication de ce dispositif est également divulguée. Le dispositif de l'invention peut également comporter une couche d'oxyde épitaxiale superposée à la couche de MgO (111). Cette couche superposée peut être une couche d'oxyde conducteur, supraconducteur et/ou ferroélectrique. La production de la couche épitaxiale (111) d'oxyde de magnésium (MgO) sur la surface (111) du substrat de semi-conducteur tétraédrique se fait à basse température. Une couche d'oxyde épitaxiale peut également être déposée sur la couche de MgO (111). La méthode de l'invention comprend les opérations suivantes : préparation de la surface (111) du substrat de semi-conducteur tétraédrique en vue du dépôt, et dépôt à basse température d'une couche de MgO sur la surface préparée. Une couche d'oxyde peut également être déposée sur la couche de MgO dans le cadre des opérations de fabrication.
Sim & Mcburney
Xerox Corporation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1714995