C - Chemistry – Metallurgy – 01 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
01
B
C01B 33/039 (2006.01) C01B 33/037 (2006.01)
Patent
CA 2746752
A method and respect material for the production of chlorosilanes (primarily: trichlorosilane) and the deposition of high purity poly-silicon from these chlorosilanes. The source for the chlorosilane production consists of eutectic or hypo-eutectic copper-silicon, the concentration range of said copper-silicon is between 10 and 16 wt% silicon. The eutectic or hypo-eutectic copper-silicon is cast in a shape suitable for a chlorination reactor, where it is exposed to a process gas, which consists, at least partially, of HCl. The gas reacts at the surface of the eutectic or hypo-eutectic copper-silicon and extracts silicon in the form of volatile chlorosilane. The depleted eutectic or hypo-eutectic material might be afterwards recycled in such a way that the amount of extracted silicon is replenished and the material is re-cast into the material shape desired.
La présente invention concerne un procédé et un matériau correspondant permettant la production de chlorosilanes, essentiellement de trichlorosilane, et le dépôt de silicium polycristallin de haute pureté à partir de ces chlorosilanes. La source utilisée pour la production de chlorosilanes est constituée de cuprosilicium eutectique ou hypo-eutectique, la teneur en cuprosilicium se situant dans une plage de 10 à 16 % du poids de silicium. Le cuprosilicium eutectique ou hypo-eutectique est coulé sous une forme convenant à un réacteur de chloration où il est exposé à un gaz de traitement constitué au moins en partie de HCl. Le gaz réagit à la surface du cuprosilicium eutectique ou hypo-eutectique et extrait le silicium sous forme de chlorosilane volatil. La matière eutectique ou hypo-eutectique appauvrie peut ensuite être recyclée de façon à reconstituer la quantité de silicium extrait, à la suite de quoi la matière est refondue pour obtenir la forme de matière voulue.
Balkos Athanasios Tom
Dawkins Jeffrey
Dodd Peter
Arise Technologies Corporation
Gowling Lafleur Henderson Llp
LandOfFree
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