H - Electricity – 01 – S
Patent
H - Electricity
01
S
H01S 5/183 (2006.01) H01S 5/042 (2006.01) H01S 5/323 (2006.01)
Patent
CA 2541776
The aim of the invention is to boost the single-mode performance of a surface- emitting semiconductor laser which comprises a buried tunnel junction and in which the tunnel junction layer (6) is provided with an aperture having a certain diameter (w1) and a certain depth (d1) while being covered with an n- doped current-carrying layer (7) such that the adjoining current-carrying layer (7) is provided with an elevation (15) having an elevation diameter (w2) and an elevation depth (d2) in the area of the aperture. Said aim is achieved by a structure in which a structured layer (8; 9) is provided at least around the lateral zone of the elevation (15) on the current-carrying layer (7), the thickness (d3; d4) of said structured layer (8; 9) being selected such that the optical thickness thereof is at least identical to the optical thickness of the current-carrying layer (7) in the area of the elevation depth (d2).
L'objectif de l'invention est d'augmenter la puissance monomode d'un laser à semi-conducteur à émission par la surface pourvu d'un contact tunnel enterré, la couche de contact tunnel (6) présentant une ouverture d'un diamètre (w1) et d'une profondeur (d1) et étant recouverte d'une couche de guidage de courant dopé N (7), de telle sorte que la couche de guidage de courant (7) adjacente présente, dans la zone de l'ouverture, une partie surélevée (15) d'un diamètre (w2) et d'une profondeur (d2). Pour que ledit objectif soit atteint, il est proposé d'utiliser une structure dans laquelle, sur la couche de guidage de courant (7) est placée une couche structurée (8; 9) qui entoure au moins la zone latérale de la partie surélevée (15) et dont l'épaisseur (d3; d4) est telle que son épaisseur optique est au moins égale à l'épaisseur optique de la couche de guidage de courant (7), dans la zone correspondant à la profondeur (d2) de la partie surélevée.
Gowling Lafleur Henderson Llp
Vertilas Gmbh
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1725777