Semiconductor memory device

Details Semiconductor memory device Semiconductor memory device

G - Physics

11

C

G11C 11/34 (2006.01) G06F 12/04 (2006.01) G06F 13/40 (2006.01) G11C 8/16 (2006.01)

Patent

CA 2072046

According to this invention, a semiconductor memory device includes N M-port RAMs (where each of M and N is a positive integer of not less than two), a data input terminal, N x (M-1) read address terminals, a write address terminal, and N x (M-1) data output terminals. The N M-port RAMs are operated in synchronization with a common clock signal. The data input terminal commonly inputs write data to data input terminals of the M-port RAMs. The N x (M-1) read address terminals independently input read addresses to first to (M-1)th port address terminals of the M-port RAMs. The write address terminal commonly inputs a write address to Mth port address terminals of the M-port RAMs. The N x (M-1) data output terminals independently output read data from data output terminals of the M-port RAMs.

L'invention est une mémoire à semi-conducteur comportant N RAM à M ports (où M et N sont des entiers positifs non inférieurs à 2), une borne d'entrée de données, N x (M-1) bornes d'adresse de lecture, une borne d'adresse d'écriture et N x (M-1) bornes de sortie de données. Les N RAM à M ports sont toutes synchronisées sur un même signal d'horloge. La borne d'entrée des données sert à transmettre des données d'écriture aux bornes d'entrée de données des RAM à M ports. Les N x (M-1) bornes d'adresse de lecture transmettent indépendamment les unes des autres les adresses de lecture aux bornes d'adresse des (M-1) premiers ports des RAM à M ports. La borne d'adresse d'écriture transmet une adresse d'écriture aux bornes d'adresse du dernier port des RAM à M ports. Les N x (M-1) bornes de sortie de données transmettent indépendamment les unes des autres des données de lecture via les bornes de sortie de données des RAM à M ports.

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