G - Physics – 11 – C
Patent
G - Physics
11
C
G11C 11/00 (2006.01) G11C 11/50 (2006.01)
Patent
CA 2528804
Non-volatile field effect devices and circuits using same. A non-volatile field effect transistor utilizes a nanatube-based mechanical switch (30). The switch location can be at the source, drain or gate locations of the field effect transistor. Under one embodiment, the field effect device includes a source region and a drain region with a channel region (27) disposed therebetween. The source region is connected to a corresponding terminal (T2). A gate structure is disposed over the channel region and connected to a corresponding terminal (T1). A nanotube switching element (30) is responsive to a first control terminal (T3) and a second control terminal (T4) and is electrically positioned in series between the drain region and a terminal corresponding to the drain region. The nanotube switching element is electromechanically operable to one of an open and closed state to thereby open or close an electrical communication path between the drain region and its corresponding terminal.
L'invention se rapporte à des dispositifs à effet de champ non volatils et à des circuits mettant en oeuvre ces dispositifs. Un dispositif à effet de champ non volatil comprend une source, un drain et une porte avec un canal à champ modulable entre la source et le drain. La source, le drain et la porte possèdent chacun une borne correspondante. Un élément de commutation à nanotube, pouvant être dévié électromécaniquement, est positionné électriquement entre l'un des éléments que sont la source, le drain et la porte et sa borne correspondante. Les autres éléments parmi la source, le drain et la porte sont connectés directement à leurs bornes correspondantes. L'élément de commutation à nanotube peut être dévié électromécaniquement en réponse à une stimulation électrique au niveau de deux bornes de commande pour créer soit un état de communication électrique ouvert non volatil soit un état de communication électrique fermé non volatil entre l'élément choisi parmi la source, le drain et la porte et sa borne correspondante. Dans un mode de réalisation, l'une des deux bornes de commande possède une surface diélectrique conçue pour entrer en contact avec l'élément de commutation à nanotube lors de la création d'un état d'ouverture non volatil. Dans un mode de réalisation, la source, le drain et la porte peuvent être simulés à tout niveau de tension depuis une tension de masse jusqu'à une tension d'alimentation, et les deux bornes de commande sont stimulées à tout niveau de tension depuis la tension de masse jusqu'à une tension de seuil de commutation supérieure en intensité à la tension d'alimentation. Dans un mode de réalisation, l'élément de commutation à nanotube comporte un article fabriqué à partir d'un nanotissu qui est positionné entre les deux bornes de commande. Dans un mode de réalisation, l'une des deux bornes de commande est une électrode de dégagement conçue pour tirer électrostatiquement l'article nanotube et supprimer le contact avec l'un des éléments que sont la source, le drain et la porte afin de former un état ouvert non volatil. Dans un mode de réalisation, l'autre des deux bornes de commande est une électrode de positionnement permettant de tirer électrostatiquement l'article nanotube pour l'amener en contact avec l'un des éléments que sont la source, le drain et la porte afin de former un état fermé non volatil.
Bertin Claude L.
Brock Darren K.
Jaiprakash Venkatachalam C.
Rueckes Thomas
Segal Brent M.
Nantero Inc
Smart & Biggar
LandOfFree
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