H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/02 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01) G03F 9/00 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01) H01L 21/68 (2006.01)
Patent
CA 2234532
A positioning, alignment, and image quality system comprising a detector having a photosensitive surface covered with an opaque layer having predetermined openings therein, a matched reticle having predetermined apertures therein is used to project the image of the apertures onto the openings. A plurality of different detectors are thereby formed on a single monolithic substrate for providing positioning, alignment, and image quality information. Different sub-detectors provide general positioning information, fine alignment or position information, and image quality information, such as optimum focus and astigmatism. In one embodiment, a pair of rectangular openings having a predetermined distance therebetween is used. An illumination pattern is projected between the rectangular openings filling a portion of the rectangular openings thereby providing a signal. The signals from the two openings are balanced or made equal to obtain positioning information or alignment of the reticle and the detector, and correspondingly a wafer stage attached to the detector. Different opening configurations in the opaque mask covering the photosensitive layer are used to provide different imaging information. The present invention permits alignment information to be obtained in a non-scanning system, as well as in a system using pulsed illumination sources. Additionally, a plurality of sub-detectors may easily be fabricated onto a monolithic detector providing different functions. The simple and easily modified structure permits it to be easily adapted to provide a variety of different alignment, positioning, and image quality information that is desirable in photolithographic techniques, particularly those used in semiconductor manufacturing. Alignment in the range of 2.5 nanometers may be obtained.
L'invention est un système de positionnement, d'alignement et de contrôle de la qualité d'images qui comporte un détecteur ayant une surface photosensible recouverte d'une couche opaque qui porte des ouvertures prédéterminées, un réticule adapté à ce détecteur et portant des fenêtres prédéterminées étant utilisé pour projeter l'image de ces fenêtres sur ces ouvertures. Une pluralité de détecteurs différents est formée sur un même substrat monolithique pour fournir des informations de positionnement, d'alignement et de contrôle de la qualité des images. Différents sous-détecteurs fournissent des informations de positionnement approximatives, des informations d'alignement ou de positionnement de précision, et des informations de contrôle de la qualité des images, telles que des informations sur la focalisation optimale et sur l'astigmatisme. Dans l'une des concrétisations de l'invention, une paire d'ouvertures rectangulaires espacées d'une distance prédéterminée est utilisée. Une configuration d'éclairage est projetée entre ces ouvertures rectangulaires et couvre une partie de ces dernières, ce qui produit un signal. Les signaux transmis par les deux ouvertures sont équilibrés ou égalisés pour donner des informations de positionnement sur le réticule et le détecteur ou pour aligner ceux-ci et, par le fait même, une plaquette fixée au détecteur. Différentes configurations d'ouverture dans le masque opaque qui recouvre la couche photosensible sont utilisées pour obtenir différentes informations d'imagerie. La présente invention permet d'obtenir les informations d'alignement dans un système sans balayage, de même que dans un système utilisant des sources d'éclairage pulsé. De plus, il est facile de fabriquer une pluralité de sous-détecteurs sur un détecteur monolithique offrant différentes fonctions. La structure simple et facilement modifiable de l'invention peut facilement être adaptée pour obtenir les informations d'alignement, de positionnement et de contrôle de la qualité pour diverses applications photolithographiques, particulièrement celles qui sont utilisées dans la fabrication des dispositifs à semi-conducteur. On peut obtenir des alignements dont la précision est de l'ordre de 2,5 nanomètres.
Osler Hoskin & Harcourt Llp
Svg Lithography Systems Inc.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1768648