H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/06 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) H01L 29/12 (2006.01) H01S 5/30 (2006.01) H01S 5/34 (2006.01) H01L 33/00 (2006.01)
Patent
CA 2510606
A semiconductor multilayer structure (1) having inhomogeneous quantum dots not requiring lattice strain when formed is a double hetero-junction structure where cladding layers (5, 6, 16) having wider bandgap widths than that of an active layer (3) are formed in multilayer on both sides of the active layer (3). The active layer (3) includes at least one layer composed of inhomogeneous quantum dots (2) not requiring lattice strain when formed. The inhomogeneous quantum dot layer (2) is composed of inhomogeneous quantum dots having either or both of different sizes and compositions and comprising a compound semiconductor. A light-emitting diode (15, 15~), a semiconductor laser diode (20), and semiconductor optical amplifier (30) each have a semiconductor multilayer structure (1, 1~) having inhomogeneous quantum dots. Light emission and light amplification with wide wavelength range are possible.
La structure multicouches à semi-conducteur (1) de l'invention, qui comprend des points quantiques inhomogènes ne requérant pas de contrainte de réseau lorsqu'ils sont formés, est une structure à double hétéro-jonction, dont les couches de métallisation (5, 6, 16) présentant une largeur de bande interdite supérieure à celle d'une couche active (3) sont disposées en plusieurs couches des deux côtés de la couche active (3). La couche active (3) comprend au moins une couche composée de points quantiques inhomogènes (2) ne requérant pas de contrainte de réseau lorsqu'ils sont formés. Cette couche composée de points quantiques inhomogènes (2) présente des tailles et/ou des compositions différentes et un semi-conducteur composé. Une diode électroluminescente (15, 15'), une diode laser à semi-conducteur (20) et un amplificateur optique à semi-conducteur (30) comprennent chacun une structure multicouches à semi-conducteur (1, 1') présentant des points quantiques inhomogènes, et permettent d'obtenir une émission de lumière et une amplification de lumière dans une gamme de longueurs d'onde étendue.
Fujiwara Yasufumi
Lee Woosik
Oga Ryo
Takeda Yoshikazu
Japan Science And Technology Agency
Marks & Clerk
LandOfFree
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