Electrodes, method and apparatus for memory structure

H - Electricity – 01 – L

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H01L 21/8239 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)

Patent

CA 2466267

In an electrode means comprising a first and a second thin-film electrode layers (L1,L2) with electrodes (.epsilon.) in the form of parallel stripe-like electrical conductors in each layer, the electrodes (.epsilon.) are provided only separated by a thin film (6) of an electrically insulating material with a thickness at most a fraction of the width of the electrodes and at least extending along the side edges thereof and forming an insulating wall (6a) therebetween. The electrode layers (L1,L2) are planarized to obtain an extremely planar surface. In an apparatus comprising one or more electrode means (EM), the electrode layers (L1,L2) of each are mutually oriented with their respective electrodes (1;2) crossing at an angle, preferably orthogonally and with a functional medium (3) provided globally in sandwich therebetween, such that a preferably passive matrix-addressable apparatus is obtained and suited for use as e.g. a matrix-addressable data processing device or matrix-addressable data storage device comprising individually addressable functional elements (5) in the form of e.g. respectively logic cells or memory cells, the fill factor thereof in the global functional medium (3) approaching unity and a maximum number of the cells in the apparatus of approximately A/f2, wherein A is the area of the global functional medium (3) sandwiched between the electrode layers (L1,L2), and f is a process-constrained minimum feature.

La présente invention concerne un système d'électrodes comprenant une première et une seconde couches d'électrode à film mince (L1, L2) dont les électrodes ( epsilon ) se présentent sous forme de conducteurs en bandes parallèles dans chaque couche. Les électrodes ( epsilon ) ne sont séparées que par un film mince (6) constitué d'un matériau électro-isolant, dont l'épaisseur s'élève au plus à une fraction de la largeur des électrodes et qui s'étend au moins sur les bords latéraux des électrodes, formant une paroi d'isolation (6a) entre elles. Les couches d'électrode (L1, L2) sont planarisées afin d'obtenir une surface extrêmement plane. Dans un appareil comprenant un ou plusieurs systèmes d'électrodes (EM), les couches d'électrode (L1, L2) de chaque système sont orientées mutuellement avec leurs électrodes respectives (1, 2) qui se croisent à un angle de préférence droit, un milieu fonctionnel (3) se trouvant de manière globale pris en sandwich entre elles, de façon à obtenir un appareil de préférence à adressage matriciel passif, adapté à un usage en tant que dispositif de traitement de données à adressage matriciel ou en tant que dispositif de stockage de données à adressage matriciel, par exemple, comprenant des éléments fonctionnels à adressage individuel (5) qui se présentent respectivement sous forme de cellules logiques ou de cellules mémoire, par exemple, dont le facteur de remplissage dans le milieu fonctionnel global (3) approche l'unité, et le nombre maximal de cellules dans l'appareil s'élève approximativement à A/f2, où A représente l'aire du milieu fonctionnel global (3) pris en sandwich entre les couches d'électrode (L1, L2) et f représente une caractéristique minimum restreinte par le processus.

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