Strained semiconductor devices

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H - Electricity

01

L

H01L 29/778 (2006.01) H01L 27/06 (2006.01) H01L 27/082 (2006.01) H01L 29/10 (2006.01) H01L 29/737 (2006.01)

Patent

CA 2546198

In a transistor in which the majority carriers are holes, at least one narrow bandgap region or layer is doped p-type or contains an excess of holes and is subject to compressive mechanical strain, whereby hole mobility may be significantly increased. In a p-channel quantum well FET, the quantum well InSb well p-type layer 5 (modulation or directly doped) lies between In1-X A1X Sb layers 4, 6 where x is of a value sufficient to induce strain in layer 5 to an extent that light and heavy holes are separated by much more than kT. Transistors falling within the invention, including bipolar pnp devices, may be used with their more conventional electron majority carriers counterparts in complementary logic circuitry.

Dans un transistor, où la majorité des porteurs sont des trous, au moins une région ou couche de bande interdite étroite est dopée avec un type p ou contient un excès de trous et est soumise à une contrainte mécanique de compression, ce qui permet d'accroître considérablement la mobilité des trous. Dans un transistor TEC à puits quantique de canal p, la couche (5) de type p du puits InSb du puits quantique (modulée ou directement dopée) repose entre des couches In¿1-X ?A1<SB>X</SB> Sb (4, 6), x représentant une valeur suffisante pour induire une contrainte dans la couche (5) à un point tel que la lumière et des trous lourds sont séparés par bien plus que kT. Les transistors de cette invention, notamment, des dispositifs pnp bipolaires, peuvent être utilisés avec leurs contreparties traditionnelles de porteurs à majorité électronique dans un circuit logique complémentaire.

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