Silicon-on-insulator device with floating collector

Details Silicon-on-insulator device with floating collector Silicon-on-insulator device with floating collector

H - Electricity

01

L

H01L 29/72 (2006.01) H01L 29/08 (2006.01) H01L 29/73 (2006.01)

Patent

CA 2204136

In a semiconductor device comprising a silicon substrate (1), an insulating layer (2) on said silicon substrate (1), a silicon layer (3) on said insulating layer (2), said silicon layer (3) being weakly doped with impurities of a first conduction type (N), a base region (4) extending into said silicon layer (3) form the free surface thereof, said base region (4) being doped with impurities of a second conduction type (P), an emitter region (5), extending into said base region (4) from the free surface thereof, said emitter region (5) being heavily doped with impurities of said first conduction type (N), and at least one collector region (6) extending into said silicon layer (3) from the free surface thereof at a lateral distance from said base region (4), said collector region (6) being doped with impurities of said first conduction type (N), a floating collector region (7) being provided in said silicon layer (3) between said insulating layer (2) and said base region (4) at a distance from said base region (4), the lateral extension of said floating collector region (7) being larger than that of the emitter region (5) and smaller than that of the base region (4), said floating collector region (7) being more doped with impurities of said first conduction type (N) than said silicon layer (3).

Dans un dispositif à semi-conducteur comprenant un substrat en silicium (1), une couche isolante (2) sur ledit substrat en silicium (1), une couche de silicium (3) sur ladite couche isolante (2), ladite couche de silicium (3) étant faiblement dopée avec des impuretés d'un premier type de conduction (N), une région de base (4) s'étendant dans ladite couche de silicium (3) à partir de la surface libre de celle-ci, ladite région de base (4) étant dopée avec des impuretés d'un second type de conduction (P), une région émettrice (5) s'étendant dans ladite région de base (4) à partir de la surface libre de celle-ci, ladite région émettrice (5) étant lourdement dopée avec des impuretés dudit premier type de conduction (N) et au moins une région collectrice (6) s'étendant dans ladite couche de silicium (3) à partir de la surface libre de celle-ci à une distance latérale de ladite région de base (4), ladite région collectrice (6) étant dopée avec des impuretés dudit premier type de conduction (N), une région de collectrice flottante (7) étant prévue dans ladite couche de silicium (3) entre ladite couche isolante (2) et ladite région de base (4) à une certaine distance de ladite région de base (4), l'extension latérale de ladite région collectrice flottante (7) étant plus grande que celle de la région émettrice (5) et plus petite que celle de la région de base (4), ladite région collectrice flottante (7) étant plus dopée avec des impuretés du premier type de conduction (N) que ladite couche de silicium (3).

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