G - Physics – 02 – B
Patent
G - Physics
02
B
G02B 6/12 (2006.01) G02B 6/136 (2006.01) G02F 1/1335 (2006.01) G02F 1/1362 (2006.01) B32B 3/10 (2006.01) G02F 1/1333 (2006.01)
Patent
CA 2355626
A planar wafer based device (e.g., a reflective light valve backplane) is shown in the Figure and includes a substrate having a plurality of surface projections (e.g., pixel mirrors) defining gaps therebetween, an etch-resistant layer formed on the substrate, and a fill layer formed on a portion of the etch-resistant layer in the gaps. A method for manufacturing the planar reflective light valve backplane includes the steps of providing a substrate (e.g., a reflective backplane) including a plurailty of surface projections (e.g., pixel mirrors) defining gaps therebetween, forming an etch-resistant layer on the substrate and a fill layer on the etch resistant layer, etching the fill layer to expose portions of the etch-resistant layer overlying the projections, leaving a portion of the fill layer in the gaps, and optionally forming a protective layer over the exposed portions of the etch-resistant and the fill layers.
Cette invention concerne un dispositif plat à tranche (tel qu'un plan arrière de modulateur de lumière réfléchissante) qui comprend un substrat présentant une pluralité de saillies (par exemple des miroirs à pixels) séparées par des interstices, une couche résistant à l'attaque formée sur le substrat, et une couche de remplissage sur une partie de la couche résistant à l'attaque, dans les interstices. Le procédé de fabrication du plan arrière pour modulateur plan de lumière réfléchissante consiste à : utiliser un substrat (par exemple un plan arrière réfléchissant) qui présente une pluralité de saillies (telles que des miroir à pixels) définissant des interstices ; former une couche résistant à l'attaque sur le substrat et une couche de remplissage sur la couche résistant à l'attaque, graver la couche de remplissage de manière à exposer des parties de la couche résistant à l'attaque qui recouvre les saillies en laissant une partie de la couche de remplissage dans les interstices et ; éventuellement, former une couche de protection sur les parties exposées de la couche résistant à l'attaque et de la couche de remplissage.
Haskell Jacob Daniel
Hsu Rong
Aurora Systems Inc.
Gowling Lafleur Henderson Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1882865