C - Chemistry – Metallurgy – 07 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
07
C
C07C 215/08 (2006.01) C07C 217/08 (2006.01) C23C 16/18 (2006.01)
Patent
CA 2419837
Volatile low melting solid CU(II) metal complexes are provided which are capable of depositing a copper film on various substrates under CVD conditions in the absence of reducing carrier gas H2. These CU(II) metal complexes are represented by the structure formula: Cu(OCCF3R1CH2NHR2)2 wherein R1 is selected from hydrogen, C1-C4 lower-alkyl or perfluorinated C1-C4 lower-alkyl groups, e.g., CH3, and CF3, etc., and wherein R2 is C1-C6 lower-alkyl or C1-C6 lower-alkene, which may be substituted by one or more fluorine atoms, by a C1- C6 lower-alkoxy group or by a C1-C6 di-lower-alkyl amino group, provided that when R1 is CF3, R2 is other than hydrogen or methyl. A process for depositing copper film using these Cu(II) metal complexes is also provided.
La présente invention concerne des complexes volatils solides à base de cuivre cuivreux, à basse température de fusion, capables de déposer sur divers substrats un film de cuivre par dépôt en phase vapeur en l'absence d'hydrogène gazeux comme vecteur réducteur. Ces complexes à base de cuivre cuivreux sont représentés par la formule Cu(OCCF¿3?R?1¿CH¿2?NHR?2¿)¿2?. Dans cette formule, R?1¿ est hydrogène, C¿1?-C¿4? alkyle inférieur ou C¿1?-C¿4? alkyle inférieur perfluorés tels que CH¿3? et CF¿3?, notamment. R?2¿ est C¿1?-C¿6? alkyle inférieur ou C¿1?-C¿6? alcène inférieur substituable par un ou plusieurs atomes de fluor, par un groupe C¿1?-C¿6? alcoxy inférieur ou par un groupe di-alkyle inférieur aminé en C¿1?-C¿6? à condition que, lorsque R?1¿ est CF¿3?, R?2¿ soit autre chose qu'hydrogène ou méthyle. L'invention concerne également un procédé de dépôt de film de cuivre au moyen de ces cmoplexes à base de civre cuivreux.
Carty Arthur J.
Chi Yun
Hsu Peng-Fu
Lin Tsung-Wu
Liu Chao-Shiuan
Anderson J. Wayne
National Research Council Of Canada
National Tsing Hua University
LandOfFree
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