H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 33/00 (2006.01) G02B 6/32 (2006.01) G02B 7/04 (2006.01)
Patent
CA 2124544
The present invention provides a method for mounting a lens on a light emitting diode chip. The method includes the steps of placing the package on an XY-stage which can move in a horizontal XY-plane. A driving current is replenished to the device chip. The device emits light beams from the emanating region out of the main surface. The emanating region is observed by a camera which can displace in a vertical Z-direction. The centre of the emanating region is determined by an intensity projection method and a gravity measurement method. The centre of the emanating region is harmonized with the centre of the camera by moving the XY-stage in the XY-plane. The XY-stage is displaced by a predetermined distance in a predetermined direction to a spot just below a dispenser which can move in the Z-direction. The dispenser is sunk until a bottom tip of the dispenser comes into contact with the device chip. A dose of ultraviolet hardening resin is supplied to the chip from the dispenser by contacting the dispenser with the chip. The dispenser is lifted and the XY-stage is displaced by a predetermined distance in a predetermined direction to a spot just beneath a vacuum collet holding a lens which can move in the Z-direction. The vacuum collet is lowered until the lens comes into contact with the resin and with the main surface of the light emitting device chip. The lens is pushed against the chip by the vacuum collet. The ultraviolet hardening resin is irradiated with ultraviolet rays. The lens is fixed on the main surface of the chip by stiffening the resin. The vacuum collet is then lifted from the lens. This provides a rear surface, emission type light emitting diode which emits light beams produced at a narrow emanating region out of the rear surface of the substrate in which the device chip has a lens mounted on its rear surface.
Méthode de montage d'une lentille sur une plaquette de diode électroluminescente. Cette méthode consiste à placer l'ensemble sur un porte-plaquette pouvant se déplacer dans un plan horizontal xy. Un courant de commande est transmis à la plaquette du dispositif. Le dispositif émet des faisceaux lumineux depuis la région d'émanation, hors de la surface principale. Cette région est observée par une caméra pouvant être disposée en direction z verticale. Le centre de la région d'émanation est déterminé par une méthode de projection d'intensité et une méthode de mesure de la gravité. Le centre de la région d'émanation est harmonisé avec le centre de la caméra en déplaçant le porte-plaquette dans le plan xy. Le porte-plaquette est déplacé selon une distance et une direction prédéterminées vers un point situé juste au-dessous d'un diffuseur pouvant bouger en direction z. Le distributeur est enfoncé jusqu'à ce qu'une pointe inférieure de ce dernier entre en contact avec la plaquette du dispositif. Une dose de résine thermodurcissable ultraviolette est fournie à la plaquette depuis le distributeur, lors du contact du distributeur avec la plaquette. Le distributeur est levé et le porte-plaquette est déplacé selon une distance et une direction prédéterminées vers un point situé juste au-dessous d'une bague de serrage à dépression retenant une lentille pouvant se déplacer en direction z. La bague de serrage est abaissée jusqu'à ce que la lentille entre en contact avec la résine et la surface principale de la plaquette. La lentille est poussée contre la plaquette par la bague de serrage à dépression. La résine est irradiée par le rayonnement ultraviolet. La lentille est fixée sur la surface principale de la plaquette en raidissant la résine. La bague est alors levée depuis la lentille. Cela procure une surface arrière et une diode électroluminescente de type émission qui émet des faisceaux lumineux produits depuis une région d'émanation étroite hors de la surface arrière du substrat où la plaquette du dispositif est surmontée d'une lentille sur sa surface arrière.
Ishii Hiroyuki
Kamakura Mitsutoshi
Murakami Hiroichi
Nishikawa Masayuki
Borden Ladner Gervais Llp
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1893909