H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 31/108 (2006.01) G02B 6/12 (2006.01) G02B 6/42 (2006.01)
Patent
CA 2514256
A Schottky barrier photodetector comprises a waveguide structure formed by a thin strip of material (100) having a relatively high free charge carrier density, for example a conductor or certain classes of highly-doped semiconductor, surrounded by material (112) having a relatively low free charge carrier density, the material an at least one side of the strip comprising a semiconductor, the strip having finite width and thickness with dimensions such that optical radiation couples to the strip and propagates along the length of the strip as a plasmon-polariton wave, tight for detection being coupled to one end of the strip to propagate along the strip as said plasmon-polariton wave, ohmic contact means (108) applied to the senoiconductor material and at least one eleetrode means (102, 103, 104, 106) connected to the strip for applying bias to the Schottky barrier and extracting a photodetector current corresponding to the light applied to the photodetector. Where the strip of material is a flat, thin strip, the device will be polarisation dependent. Substantially polarisation~ independent Operation may be achieved by using a strip whose width is of the same order as its thickness.
L'invention porte sur un photodétecteur à barrière de Schottky comprenant une structure de guide d'onde formée par une bande mince de matériau (100) ayant une densité de porteuse de charge très élevée, par exemple, un conducteur ou certaines classes de semi-conducteurs extrêmement dopés, et entourée d'un matériau (112) dont la densité de porteuse de charge est extrêmement faible, le matériau sur au moins un côté de la bande comprenant un semi-conducteur, la bande ayant une largeur finie et une épaisseur don't les dimensions sont telles que la radiation optique se couple à la bande et se propage le long de la bande comme une onde plasmon-polariton, la lumière de détection étant coulée à une extrémité de la bande pour se propager le long de cette bande comme cette onde plasmon-polariton, un dispositif de contact ohmique (108) appliqué au matériau à semi-conducteurs et au moins un électrode (102, 103, 104, 106) connectée à la bande de façon à appliquer une polarisation sur la barrière de Schottky et extraire un courant de photodétecteur correspondant à la lumière appliquée au photodétecteur. Si la bande de matériau est une bande plate, mince, le dispositif sera dépendant de la polarisation. Il est possible de réaliser une opération sensiblement dépendante de la polarisation au moyen d'une bande dont la largeur est du même ordre que son épaisseur.
Berini Pierre Simon Joseph
Scales Christine Ann
Adams Thomas
Spectalis Corp.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1925303