H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 39/22 (2006.01) H01L 39/14 (2006.01) H01L 39/24 (2006.01)
Patent
CA 2052380
A superconducting device comprises a substrate, a projecting insulating region formed in a principal surface of the substrate, and a first thin film portion of an oxide superconductor formed on the projecting insulating region. Second and third thin film portions of an oxide superconductor are positioned at opposite sides of the projecting insulating region to be continuous to the first thin film portion, respectively, so that a superconducting current can flow through the first thin film portion between the second thin film portion and the third thin film portion. The second thin film portion and the third thin film portion has a thickness larger than that of the first thin film portion. The projecting insulating region is formed of an oxide which is composed of the same constituent elements of the oxide superconductor but which has the oxygen content smaller than that of said oxide superconductor. The superconducting device can be manufactured by forming on a surface of a substrate a compound oxide layer which is composed of the same constituent elements as those of an oxide superconductor but includes the oxygen amount less than that of the oxide superconductor, and which will be brought into an oxide superconductor when oxygen ions are injected, injecting oxygen ions into two separated portions of the compound oxide layer, so that the two separated portions of the compound oxide layer are converted into a pair of thick superconducting regions composed of the oxide superconductor, and heat-treating the layered structure in an oxygen atmosphere so that the oxygen is diffused into a portion of the compound oxide layer between the two separated portions of the compound oxide layer so as to constitute an extremely thin superconducting region.
Dispositif supraconducteur constitué d'un substrat, d'une section d'isolement saillante incorporée à l'une des surfaces principales du substrat et de la première section d'un film mince de supraconducteur à oxyde, formé sur la section d'isolement saillante. La deuxième et la troisième section de film mince de supraconducteur à oxyde se situent sur les côtés opposés de la section d'isolement saillante, en continuité avec la première section du film, afin qu'un courant supraconducteur puisse circuler dans la première section du film et entre la deuxième et la troisième section. Ces deuxième et troisième sections du film sont plus épaisses que la première. La section d'isolement saillante est constituée d'un oxyde présentant les mêmes éléments constituants que le supraconducteur à oxyde. On peut fabriquer ce dispositif supraconducteur en formant une couche d'oxyde composite à la surface du substrat, cette couche d'oxyde étant composée des mêmes éléments constituants que ceux d'un supraconducteur à oxyde; celle-ci comporte cependant une quantité d'oxygène moins importante que celle du supraconducteur à oxyde et ne devient un supraconducteur à oxyde qu'en recevant une injection d'ions oxygène, cet apport d'ions oxygène ayant lieu sur deux sections séparées de la couche d'oxyde composite, ce qui convertit ces deux sections séparées de la couche d'oxyde composite en deux sections supraconductrices épaisses constituées du supraconducteur à oxyde. On fait également subir un traitement thermique à cette structure en couches dans une atmosphère à oxygène pour qu'il y ait une diffusion d'oxygène dans une partie de la couche d'oxyde composite située entre les deux sections séparées de la couche d'oxyde composite, de manière à créer ainsi une section supraconductrice d'une extrême minceur.
Iiyama Michitomo
Inada Hiroshi
Nakamura Takao
Bereskin & Parr
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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