Semiconductor laser module and semiconductor laser device...

Details Semiconductor laser module and semiconductor laser device... Semiconductor laser module and semiconductor laser device...

H - Electricity

01

S

H01S 5/343 (2006.01) H01S 5/14 (2006.01) H01S 5/30 (2006.01) H01S 5/34 (2006.01)

Patent

CA 2370588

A semiconductor laser module is provided for emitting pumping laser light which excels in temporal stability. The semiconductor laser module comprises a semiconductor laser device which has a layered structure formed on a GaAs substrate, wherein the layered structure has an active layer in a quantum well structure, formed of semiconductor materials including Ga and As, and a member having a light feedback function. The two components are optically coupled. A well layer in the active layer of the semiconductor laser device is a thick layer having a thickness of 10 nm or more. The active layer is doped with Si, and an n-type cladding layer underlying the active layer is also doped with Si.

Module laser à semiconducteurs servant à émettre de la lumière laser de pompage qui excelle en matière de stabilité temporelle. Le module laser à semiconducteurs comprend un dispositif laser à semiconducteurs qui a une structure en couches formée sur un substrat de GaAs, la structure en couches présentant une couche active dans une structure de puits quantique, formée de matériaux semiconducteurs notamment Ga et As, et un élément ayant une fonction de rétroaction. Les deux composants sont couplés optiquement. Une couche de puits dans la couche active du dispositif laser à semiconducteurs est une couche épaisse ayant une épaisseur de 10 nm ou plus. La couche active est dopée avec du Si, et une couche de métallisation de type n sous-jacente à la couche active est également dopée avec du Si.

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