Direct mombe and movpe growth of ii-vi materials on silicon

Details Direct mombe and movpe growth of ii-vi materials on silicon Direct mombe and movpe growth of ii-vi materials on silicon

H - Electricity

01

L

H01L 21/31 (2006.01) C30B 23/02 (2006.01) C30B 25/02 (2006.01) H01L 21/36 (2006.01) H01L 21/365 (2006.01)

Patent

CA 2128590

A metalorganic arsenic source comprising R3-mAsHm, where R is an organic radical selected from the group consisting of CnH2n+1 and CnH2n-1, where n ranges from 1 to 6, and where m is 1 or 2, such as tert-butylarsine (t-BuAsH2), is useful in terminating a silicon surface with arsenic without carbon contamination, thereby permitting subsequent growth of high quality II-VI films, such as ZnSe. Use of this metalorganic arsenic source allows the full potential of the metalorganic molecular beam epitaxy (MOMBE) deposition technique, which has demonstrated superior flux control than that achieved by MBE, to be realized in the heteroepitaxy of HgCdTe on silicon substrates. Other metalorganic deposition procedures, such as MOVPE, may also be employed in the practice of the invention.

Source organométallique d'arsenic, renfermant R3-mAsHm, où R est un radical organique choisi dans le groupe constitué de CnH2n+1 et de CnH2n-1, avec n se situant dans une plage de 1 à 6 et m étant égal à 1 ou 2, comme la tert-butylarsine (t-BuAsH2); ce type de source est utile pour terminer une surface siliciée avec de l'arsenic, sans contamination par le carbone, ce qui permet la croissance ultérieure de pellicules II-VI de qualité supérieure, notamment de ZnSe. L'emploi de cette source d'arsenic organométallique donne son plein potentiel à la technique de dépôt de l'épitaxie par faisceaux moléculaires organométalliques, qui se caractérise par une régulation supérieure du flux, comparativement à l'épitaxie par faisceaux moléculaires, dans le cas de l'hétéroépitaxie de HgCdTe sur des substrats siliciés. D'autres méthodes de dépôt organométallique, comme la technique MOVPE, peuvent également être appliquées dans le cadre de la présente invention.

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