H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 23/58 (2006.01) H01L 23/552 (2006.01)
Patent
CA 2342904
An integrated circuit has a guard ring for shielding a first area (14) (e.g. high voltage area) from a second area (15) (e.g. low voltage). The guard ring comprises a conductive guard ring (6), (e.g. metal), which is partially exposed through a passivation layer (13) in the integrated circuit (1). A semiconductor guard ring (8), (e.g. silicon), is isolated from the first and second areas of semiconductor by at least two trench rings (16), one located on each side of the semiconductor guard ring (8). A plurality of conductive elements (comprising a metal connection plate (18) and via (19)) connect the conductive guard ring (6) and the semiconductor guard ring (8) at spaced apart intervals. The ocnductive guard ring (6), semiconductor guard ring (8) and conductive elements are all connected to a ground source. If high energy particles move from the first area towards the second area, they are attracted to the exposed metal, and their charge is conducted to ground.
L'invention concerne un circuit intégré comportant un anneau de garde pour blinder une première zone (14) (par ex. une zone haute tension) par rapport à une seconde zone (zone basse tension). L'anneau de garde comprend un anneau de charge conducteur (6) (par ex. métal) qui est exposé en partie, à travers une couche de passivation (13) dans le circuit intégré (1). Un anneau de garde à semi-conducteur (8) (par ex. silicium) est isolé de la première et de la seconde zone du semi-conducteur par au moins deux anneaux de tranchée (16), situés chacun sur une face de l'anneau de garde à semi-conducteur (8). Une pluralité d'éléments conducteurs (comprenant une plaque de connexion métallique (18) et un trou d'interconnexion (19)), connectent l'anneau de garde conducteur (6) et l'anneau de garde à semi-conducteur (8) à des intervalles séparés les uns des autres. L'anneau de garde conducteur (6), l'anneau de garde à semi-conducteur (8) et les éléments conducteurs sont tous reliés à une source à la terre. Si des particules de haute énergie passent de la première zone à la seconde zone, elles sont attirées par le métal exposé et leur charge est conduite à la terre.
Goldman Richard
Miles David
Marks & Clerk
Telefonaktiebolaget Lm Ericsson
LandOfFree
High voltage shield does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with High voltage shield, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and High voltage shield will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-2000048