Method of depositing dlc on substrate

Details Method of depositing dlc on substrate Method of depositing dlc on substrate

C - Chemistry, Metallurgy

23

C

C23C 16/26 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01) C23C 14/22 (2006.01)

Patent

CA 2513935

Durability and/or longevity of a diamond-like carbon (DLC) layer can be improved by varying the voltage and/or ion energy used to ion beam deposit the DLC layer. For example, a relatively low voltage may be used to ion beam deposit a first portion of the DLC layer on the substrate (Figure 2A), and thereafter a second higher voltage(s) (Figure 2B) used to ion beam deposit a second higher density portion of the DLC layer over the first portion of the DLC layer. In such a manner, ion mixing at the bottom of the DLC layer can be reduced, and the longevity and/or durability of the DLC improved.

Selon l'invention, la durabilité et/ou la longévité d'une couche de carbone sous forme de diamant amorphe (CDA) peut être améliorée par variation de la tension et/ou de l'énergie ionique utilisée pour le dépôt par faisceau d'ions de la couche de CDA. Par exemple, une tension relativement faible peut être utilisée pour le dépôt par faisceau d'ions d'une première partie de la couche de CDA sur le substrat, puis une ou plusieurs secondes tension plus élevées peuvent être utilisées pour le dépôt par faisceau d'ions d'une seconde partie à densité plus élevée de la couche de CDA sur la première partie de la couche de CDA. Cela permet de réduire le mélange d'ions au niveau de la partie inférieure de la couche de CDA et d'augmenter la longévité et/ou la durabilité du CDA.

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