C - Chemistry – Metallurgy – 30 – B
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
30
B
C30B 25/02 (2006.01) C23C 16/27 (2006.01) C23C 16/52 (2006.01) C30B 25/10 (2006.01) C30B 25/16 (2006.01)
Patent
CA 2466077
An apparatus for producing diamond in a deposition chamber including a heat/sinking holder for holding a diamond and for making thermal contact with a side surface of the diamond adjacent to an edge of a growth surface of the diamond, a noncontact temperature measurement device positioned to measure temperature of the diamond across the growth surface of the diamond and a main process controller for receiving a temperature measurement from the noncontact temperature measurement device and controlling temperature of the growth surface such that all temperature gradients across the growth surface are less than 20 ~ C. The method for producing diamond includes positioning diamond in a holder such that a thermal contact is made with a side surface of the diamond adjacent to an edge of a growth surface of the diamond, measuring temperature of the growth surface of the diamond to generate temperature measurements, controlling temperature of the growth surface based upon the temperature measurements, and growing single-crystal diamond by microwave plasma chemical vapor deposition on the growth surface, wherein a growth rate of the diamond is greater than 1 micrometer per hour.
L'invention concerne un appareil de production de diamants disposé dans une chambre de dépôt. Cet appareil comprend un support de refroidissement destiné à maintenir un diamant et à établir un contact thermique avec une surface latérale du diamant, à proximité du bord d'une surface de croissance de ce diamant; un dispositif de mesure de température sans contact disposé de sorte à mesurer la température du diamant à travers la surface de croissance du diamant; et une unité de commande de processus principale, destinée à recevoir une mesure de température du dispositif de mesure de température sans contact, et à réguler la température de la surface de croissance, de sorte que tous les gradients de température à travers la surface de croissance sont inférieurs à 20 ·C. Le procédé selon l'invention consiste à placer un diamant dans un support, de sorte que le contact thermique est établi avec une surface latérale de ce diamant, à proximité du bord d'une surface de croissance du diamant; à mesurer la température de la surface de croissance du diamant, de sorte à produire des mesures de température; à réguler la température de la surface de croissance en fonction des mesures de température; et à faire croître un diamant semicristallin par dépôt chimique en phase vapeur assisté par un plasma micro-ondes sur la surface de croissance, la vitesse de croissance du diamant étant supérieure à 1 micromètre par heure.
Hemley Russell J.
Mao Ho-Kwang
Vohra Yogesh K.
Yan Chih-Shiue
Carnegie Institution Of Washington
Gowan Intellectual Property
The Uab Research Foundation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2054210