Transistor amplifier having reduced parasitic oscillations

Details Transistor amplifier having reduced parasitic oscillations Transistor amplifier having reduced parasitic oscillations

H - Electricity

03

F

H03F 3/68 (2006.01) H03F 1/08 (2006.01)

Patent

CA 2376767

A transistor device (12") having a plurality of transistor cells (15"). Each one of the cells has a control electrode (17) for controlling a flow of carriers through a semiconductor. The device (12") has an input node (20"). A plurality of filters (18") are provided. Each one of the filters (18") is coupled between the input node (20") and a corresponding one of the control electrodes (17) of the plurality of transistor cells (15"). In one embodiment of the invention, pairs of the control electrodes (17) are connected to a common region and wherein each one of the filters (18") is coupled between the input node (20") and a corresponding one of the common regions. The semiconductor provides a common active region for the plurality of transistor cells (15"). Each one of the filters (18") comprises: a conductive layer (40); a dielectric layer (42) disposed on the conductive layer (40); a resistive layer (44) disposed over the dielectric layer (42); a conductive electrode (46) disposed in electrical contact with a first portion (50) of the resistive layer (44) and providing the input node; and, a connector (52) in electrical contact with a second portion (54) of the resistive layer (44) such second portion (54) of the resistive layer (44) being displaced from the first portion (50) of the resistive layer (44), such connector (52) passing through the dielectric and being in electrical contact with the first conductor (40).

Cette invention concerne un dispositif à transistors (12") comportant une pluralité de cellules de transistor (15"). Chacune de ces cellules comporte une électrode de commande (17) qui règle le passage de porteurs dans un semi-conducteur. Le dispositif (12") comporte un noeud d'entrée (20"). On trouve une pluralité de filtres (18") qui sont chacun couplés au noeud d'entrée (20") et à un noeud correspondant sur les électrodes de commande (17) de la pluralité des cellules de transistor (15"). Selon un mode de réalisation, les électrodes de commande (17) sont reliées par paires à une région commune, chacun des filtres (18") étant relié au noeud d'entrée (20") et à un noeud correspondant des régions communes. Le semi-conducteur constitue une région active commune pour la pluralité de cellules de transistor (15"). Chacun des filtres (18") comprend une couche conductrice (40); une couche diélectrique (42) disposée sur la couche conductrice (40); une couche résistive (44) disposée sur la couche diélectrique (42); une électrode conductrice (46) électriquement en contact avec une première partie (50) de la couche résistive (44) et faisant office de noeud d'entrée; et un connecteur (52) électriquement en contact avec une seconde partie (54) de la couche résistive (44). Cette seconde partie (54) de la couche (44) est décalée par rapport à la première partie (50) de la couche (44). Le connecteur (52) traverse la couche diélectrique et est en contact électrique avec le premier conducteur (40).

Affiliated with

Also associated with

Rating

Transistor amplifier having reduced parasitic oscillations does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with Transistor amplifier having reduced parasitic oscillations, we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Transistor amplifier having reduced parasitic oscillations will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

Comments { 0 }

Profile ID: LFCA-PAI-O-2054402