Semiconductor laser device

Details Semiconductor laser device Semiconductor laser device

H - Electricity

01

S

H01S 5/12 (2006.01) H01S 5/227 (2006.01)

Patent

CA 2370706

A DFB laser (10) which is of a buried hetero type having an oscillation wavelength of 1550 nm, and which is provided with a laminated layer consisting of, all formed on an InP substrate (12), an InP buffer layer (14), an active layer (16), an InP spacer layer (18) having a film thickness of 200 nm, a diffraction grating (20) consisting of a GaInAsP layer having a film thickness of 20 nm, and a diffraction grating-buried InP first clad layer (22). The peak wavelength .lambda.max of the optical gain distribution of the active layer is about 1530 nm, and the band gap wavelength of the diffraction grating is about 1510 nm. The laminated layer is etched to a mesa stripe with p-n isolating current constricting regions formed on the opposite sides thereof. The diffraction grating formed of GaInAsP having a .lambda.g of about 1510 nm hardly causes absorption at a wavelength in the vicinity of 1550-nm oscillation wavelength. The absorption coefficient of the active layer's optical gain distribution at a peak wavelength is larger than at an oscillation wavelength.

L'invention concerne un laser (10) à rétroaction répartie (laser DFB) de type enterré présentant à hétérostructures, présentant une longueur d'onde d'oscillations de 1550 nm, et comprenant une structure stratifiée formée sur un substrat (12) InP, comprenant une couche (14) tampon InP, une couche (16) active, une couche (18) de séparation d'une épaisseur de 200 nm, un réseau (20) de diffraction constitué d'une couche de GaInAsP d'une épaisseur de 20 nm, et d'une première couche (22) de placage InP enterrée. La longueur d'onde maximale .lambda.max de la marge de gain optique de la couche active est d'environ 1530 nm, et la longueur d'onde de la bande interdite du réseau de diffraction est d'environ 1510 nm. La structure stratifiée est gravée de manière à former un ruban mesa, sur les côtés opposés duquel sont formées des zones p-n isolante d'étranglement du courant. Le réseau de diffraction constitué de GaInAsP présente un .lambda.g de 1510 environ n'absorbe sensiblement aucune longueur d'onde aux alentours de 1550 nm de longueur d'onde des oscillations. Le coefficient d'absorption de la couche active à la longueur d'ondes maximale de la marge de gain est plus élevé que le coefficient d'absorption à la longueur d'onde des oscillations.

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