H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/06 (2006.01) H01L 21/302 (2006.01) H01L 21/331 (2006.01) H01L 21/84 (2006.01) H01L 29/73 (2006.01)
Patent
CA 2243998
In a bipolar semiconductor-on-insulator transistor device (1) comprising an emitter region (4), a base region (5), a collector region (2) and a collector contacting region (6) in a semiconductor wafer, e.g. a monocrystalline silicon wafer (2), on top of an insulator (3), the base-emitter and collector-base junctions are tilted relative to the interface between the semiconductor wafer (2) and the insulator (3). The device can be made by anisotropic etching in order to produce a tilted surface (7) at an edge of the device or equivalently a V-groove having tilted sidewalls. The base and emitter regions (5, 4) are then produced by diffusing suitable donor and acceptor atoms into the material inside the tilted surface. Such a bipolar semiconductor-on-insulator transistor combines the high speed features of a lateral semiconductor device and the high voltage features of a vertical semiconductor device.
Dispositif transistor bipolaire (1) à semi-conducteur sur isolant, comprenant une région d'émission (4), une région base (5), une région collectrice (2) et une région de contact de collecteur (6) sur une plaquette semi-conductrice telle qu'une plaquette de silicium monocristallin (2) sur un isolant (3). Les jonctions base-émetteur et collecteur-base sont inclinées par rapport à l'interface entre la plaquette semi-conductrice (2) et l'isolant (3). Le dispositif peut être réalisé par gravure anisotrope pour obtenir une surface inclinée (7) sur un bord du dispositif ou, de manière équivalente, une rainure en V présentant des parois latérales inclinées. Les régions base et émetteur (5, 4) sont ensuite élaborées par diffusion d'atomes appropriés donneurs et accepteurs dans le matériau contenu à l'intérieur de la surface inclinée. Un tel transistor bipolaire à semi-conducteur sur isolant combine les caractéristiques de vitesse élevée d'un dispositif à semi-conducteur latéral et les caractéristiques de tension élevée d'un dispositif à semi-conducteur vertical.
Arnborg Torkel
Litwin Andrej
Marks & Clerk
Telefonaktiebolaget Lm Ericsson
LandOfFree
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