H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 21/265 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/12 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01)
Patent
CA 2677412
A semiconductor device manufacturing method capable of preventing characteristic degradation caused by surface roughness of a wafer by fully preventing the surface roughness in a heat treatment process, and a semiconductor device whose characteristic degradation caused by surface roughness is prevented. A method for manufacturing a MOSFET as a semiconductor device comprises a step of preparing a wafer (3) made of silicon carbide, and an activation annealing step of performing activation annealing by heating the wafer (3). In the activation annealing step, the wafer (3) is heated in an atmosphere containing silicon carbide vapor generated from a SiC piece (61) that is a generation source different from the wafer (3).
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur pouvant prévenir la dégradation de caractéristiques entraînée par la rugosité de surface d'une plaquette en empêchant complètement la rugosité de surface dans un procédé de traitement thermique, ainsi qu'un dispositif semi-conducteur dont la dégradation des caractéristiques causée par la rugosité de surface est évitée. Un procédé de fabrication d'un MOSFET formant dispositif semi-conducteur comprend une étape de préparation d'une plaquette (3) faite de carbure de silicium et une étape de recuit d'activation consistant à effectuer un recuit d'activation par le chauffage de la plaquette (3). Dans l'étape de recuit d'activation, la plaquette (3) est chauffée dans une atmosphère contenant de la vapeur de carbure de silicium générée à partir d'une pièce en SiC (61) qui est une source de génération différente de la plaquette (3).
Fujikawa Kazuhiro
Harada Shin
Masuda Takeyoshi
Namikawa Yasuo
Marks & Clerk
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
Semiconductor device manufacturing method and semiconductor... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.
If you have personal experience with Semiconductor device manufacturing method and semiconductor..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Semiconductor device manufacturing method and semiconductor... will most certainly appreciate the feedback.
Profile ID: LFCA-PAI-O-1402210