Memory element with memory material comprising phase-change...

G - Physics – 11 – C

Patent

Rate now

  [ 0.00 ] – not rated yet Voters 0   Comments 0

Details

G11C 11/21 (2006.01) G11C 16/02 (2006.01) H01L 45/00 (2006.01)

Patent

CA 2324927

An electrically operated, single cell memory element (30) comprising: a volume of memory material (36) defining a single-cell memory element, the memory material comprising a heterogeneous mixture of a phase-change material and a dielectric material; and means (6, 8A) for delivering an electrical signal to at least a portion of the volume of memory material. An electrically operated, single-cell memory element (30) comprising: a volume of memory material (36) defining the single-cell memory element, the memory material comprising a phase-change material and a dielectric material where the phase-change material has a plurality of detectable resistivity values and can be set directly to one of the resistivity values without the need to be set to a specific starting or erased resistivity value, regardless of the previous resistivity value of the material, in response to an electrical signal; and means (6, 8A) for delivering the electrical signal to at least a portion of the volume of memory material.

L'invention concerne un élément mémoire unicellulaire (30) actionné électriquement qui comprend un volume de matériau mémoire (36) définissant une mémoire unicellulaire. La mémoire comprend un mélange hétérogène d'un matériau à changement de phase et d'un matériau diélectrique et des moyens d'émission (6, 8A) d'un signal électrique vers au moins une partie du volume du matériau mémoire. Un élément mémoire unicellulaire (30) électriquement actionné comprend un volume de matériau mémoire (36) définissant l'élément mémoire unicellulaire, le matériau mémoire comprenant un matériau à changement de phase et un matériau diélectrique dans lequel le matériau à changement de phase présente une pluralité de valeurs de résistivité détectables sans avoir à définir une valeur de résistivité spécifique de départ ou effacée, quelle que soit la valeur de résistivité précédente du matériau, en réaction au signal électrique, ainsi que des moyens d'émission (6, 8A) du signal électrique vers au moins une partie du volume de matériau mémoire.

LandOfFree

Say what you really think

Search LandOfFree.com for Canadian inventors and patents. Rate them and share your experience with other people.

Rating

Memory element with memory material comprising phase-change... does not yet have a rating. At this time, there are no reviews or comments for this patent.

If you have personal experience with Memory element with memory material comprising phase-change..., we encourage you to share that experience with our LandOfFree.com community. Your opinion is very important and Memory element with memory material comprising phase-change... will most certainly appreciate the feedback.

Rate now

     

Profile ID: LFCA-PAI-O-1496840

  Search
All data on this website is collected from public sources. Our data reflects the most accurate information available at the time of publication.