C - Chemistry – Metallurgy – 11 – D
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
11
D
C11D 7/32 (2006.01) C11D 3/00 (2006.01) C11D 3/02 (2006.01) C11D 3/20 (2006.01) C11D 3/28 (2006.01) C11D 3/30 (2006.01) C11D 3/32 (2006.01) C11D 3/43 (2006.01) C11D 7/10 (2006.01) C11D 7/50 (2006.01) C11D 11/00 (2006.01) G03F 7/42 (2006.01) H01L 21/306 (2006.01) H01L 21/311 (2006.01) H01L 21/3213 (2006.01) C11D 7/26 (2006.01) C11D 7/34 (2006.01)
Patent
CA 2452921
Ammonia-free, HF-free cleaning compositions for cleaning photoresist and plasma ash residues from microelectronic substrates, and particularly to such cleaning compositions useful with and having improved compatibility with microelectronic substrates characterized by sensitive porous and low-k to high- k dielectrics and copper metallization. The cleaning composition contain one or more non-ammonium producing, non-HF producing fluoride salt (non ammonium, quaternary ammonium fluoride salt) in a suitable solvent matrix.
La présente invention se rapporte à des compositions de nettoyage ne contenant ni fluorure d'hydrogène ni ammoniac et permettant de nettoyer des substrats microélectroniques et d'en retirer de la photorésine ainsi que des cendres laissées par une gravure au plasma. Cette invention se rapporte particulièrement à de telles compositions de nettoyage qui sont utiles avec des substrats microélectroniques pour lesquels elles présentent une compatibilité améliorée, lesdits substrats étant caractérisés par des diélectriques poreux sensibles, à constante .kappa. faible à élevée, ainsi que par une métallisation au cuivre. La composition de nettoyage contient un ou plusieurs sels de fluorure ne produisant ni fluorure d'hydrogène ni ammonium (sel de fluorure d'ammonium quaternaire et non sel d'ammonium) dans une matrice solvant adaptée.
Avantor Performance Materials Inc.
Mallinckrodt Baker Inc.
Osler Hoskin & Harcourt Llp
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