H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/76 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 29/92 (2006.01) H01L 29/94 (2006.01) H01L 31/062 (2006.01) H01L 31/113 (2006.01) H01L 31/119 (2006.01)
Patent
CA 2241676
A ferroelectric memory cell integrated on a silicon substrate. The ferroelectric stack includes a ferroelectric layer (50), such as PbNbZrTiO, sand- wiched between conductive metal-oxide electrodes (46, 52), such as the perovskite LaSrCoO. The ferroelectric stack is grown over a barrier layer (44) of an intermetallic alloy such as Ni 3A1 or Ti 3A1 , which is highly resistant to oxidation at elevated temperatures. The intermetallic layer is either deposited directly over the silicon substrate (40) or over an intermediate TiN layer (42). The resulting structure does not require a platinum bar- rier layer.
Cette invention concerne un cellule de mémoire ferroélectrique intégrée sur un substrat en silicium. La pile ferroélectrique comprend une couche ferroélectrique (50), par exemple du PbNbZrTiO, laquelle est prise en sandwich entre deux électrodes conductrices (46, 52) d'oxyde métallique, tel que du LaSrCoO de pérovskite. La croissance de la pile ferroélectrique se fait sur une couche faisant barrière (44), laquelle se compose d'un alliage intermétallique, tel que du Ni 3Al ou du Ti 3Al , qui possède une grande résistance à l'oxydation à des températures élevées. Cette couche intermétallique est déposée soit directement sur le substrat de silicium (40), soit sur une couche intermédiaire de TiN (42). La structure ainsi obtenue ne nécessite pas l'ajout d'une couche de platine faisant barrière.
Dhote Anil M.
Ramesh Ramamoorthy
Bell Communications Research Inc.
Kirby Eades Gale Baker
Telcordia Technologies Inc.
University Of Maryland
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1729570