H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 29/12 (2006.01)
Patent
CA 2669581
This invention provides a silicon carbide semiconductor device having excellent operating properties and a process for producing the same. An enlarged terrace face is formed by Si film covering annealing on the surface of an initially grown layer (11) provided on a 4H-SiC substrate (10). A newly grown layer (21) is then epitaxially grown on the initially grown layer (11). A 3C-SiC part (21a), which is a polytype stable at low temperatures, is grown on the enlarged terrace face, and a 4H-SiC part (21b) is grown on the other region. The 3C-SiC part (21a) is selectively removed while allowing the 4H-SiC part (21b) to remain unremoved to form a trench (Tr). An UMOSFET gate electrode (27) is formed within the trench (Tr). The channel region in UMOSFET can be regulated as a low-dimensional number face, and a silicon carbide semiconductor device having a high level of channel mobility and excellent operating properties can be realized.
Cette invention concerne un dispositif semi-conducteur en carbure de silicium ayant d'excellentes propriétés de fonctionnement et un procédé de fabrication de celui-ci. Une face de terrasse agrandie est formée par recuit de recouvrement de film de Si sur la surface d'une couche initialement développée (11) disposée sur un substrat 4H-SiC (10). Une couche nouvellement développée (21) est ensuite développée de façon épitaxiale sur la couche initialement développée (11). Une partie 3C-SiC (21a), qui est un polytype stable à basses températures, est développée sur la face de terrasse agrandie, et une partie 4H-SiC (21b) est développée sur l'autre région. La partie 3C-SiC (21a) est retirée de façon sélective tout en permettant à la partie 4H-SiC (21b) de rester non retirée pour former une tranchée (Tr). Une électrode de grille UMOSFET (27) est formée à l'intérieur de la tranchée (Tr). La région de canal dans UMOSFET peut être régulée en tant que face de nombre de dimension faible, et un dispositif semi-conducteur de carbure de silicium ayant un niveau élevé de mobilité de canal et d'excellentes propriétés de fonctionnement peut être réalisé.
Harada Shin
Masuda Takeyoshi
Marks & Clerk
Sumitomo Electric Industries Ltd.
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2000641