3-d integrated circuit lateral heat dissipation

Details 3-d integrated circuit lateral heat dissipation 3-d integrated circuit lateral heat dissipation

H - Electricity

01

L

H01L 25/065 (2006.01) H01L 23/367 (2006.01) H01L 23/373 (2006.01)

Patent

CA 2720966

By filling an air gap between tiers (31,32) of a stacked IC device with a thermally conductive material (320) heat generated at one or more locations within one of the tiers can be laterally displaced. The lateral displacement of the heat can be along the full length of the tier and the thermal materia can be electrically insulating. Through silicon-vias (331) can be constructe at certain locations to assist in heat dissipation away from thermally troubled locations (310).

En remplissant un intervalle d'air entre des couches (31, 32) d'un dispositif à circuits intégrés à empilement avec un matériau thermoconducteur (320), la chaleur générée à un ou plusieurs emplacements à l'intérieur de l'une des couches peut être déplacée latéralement. Le déplacement latéral de la chaleur peut se produire le long de toute la longueur de la couche et le matériau thermique peut être électriquement isolant. Des trous d'interconnexion à travers le silicium (331) peuvent être pratiqués à certains emplacements pour aider à dissiper la chaleur des emplacements perturbés thermiquement (310).

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