A field-effect transistor

Details A field-effect transistor A field-effect transistor

H - Electricity

01

L

H01L 29/772 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/337 (2006.01) H01L 21/338 (2006.01) H01L 29/78 (2006.01) H01L 29/786 (2006.01) H01L 29/808 (2006.01)

Patent

CA 2317759

A field-effect transistor is made with electrodes (2, 4, 5) and isolators (3) in vertically provided layers, such that at least the electrodes (4, 5) and the isolators (3) form a step (6) oriented vertically relative to the first electrode (2) or the substrate (1). Implemented as a junction field-effect transistor (JFET) or a metal-oxide semiconducting field-effect transistor (MOSFET) the electrodes (2, 5) forming respectively the drain and source electrode of the field-effect transistor or vice versa and the electrode (4) the gate electrode of the field-effect transistor. Over the layers in the vertical step (6) an amorphous, polycrystalline or microcrystalline inorganic or organic semiconductor material is provided and forms the active semiconductor of the transistor contacting the gate electrode (8) directly or indirectly and forming a vertically oriented transistor channel (9) of the p or n type between the first (2) and the second (5) electrode. In a method for fabrication of a field effect transistor a vertical step (6) is formed by a means of a photolithographic process and a soluble amorphous active semiconductor material (8) is deposited over the first electrode (2) and the vertical step (6) such that a vertically oriented transistor channel between the drain and source electrode (2, 5) is obtained. In a JFET the semiconductor material (8) contacts the gate electrode (4) directly. In a MOSFET a vertically oriented gate isolator (7) is provided between the gate electrode (4) and the semiconductor material (8).

Transistor à effet de champ comportant des électrodes (2, 4, 5) et des isolants (3) disposés en couches verticales, de sorte qu'au moins les électrodes (45, 5) et les isolants (3) créent une marche (6) orientée verticalement par rapport à la première électrode (2) ou au substrat (1). Ce transistor FET est mis en application en tant que transistor à effet de champ à jonction (JFET) ou transistor à effet de champ à semi-conducteur métal-oxyde (MOSFET), de sorte que les électrodes (2, 5) constituent respectivement l'électrode de source et de drain du transistor à effet de champ ou vice-versa et que l'électrode (4) en constitue l'électrode de grille. Un matériau semi-conducteur amorphe, polycristallin ou microcristallin, organique ou inorganique est situé au-dessus des couches de la marche verticale (6) et constitue le semi-conducteur actif du transistor, étant donné qu'il est en contact direct ou indirect avec l'électrode de grille et crée un canal vertical à semi-conducteur du type p ou n entre la première (2) et la deuxième (5) électrodes. Procédé servant à fabriquer un transistor à effet de champ et consistant à créer une marche verticale (6) par photolithographie, puis à déposer un matériau semi-conducteur soluble amorphe actif (8) au-dessus de la première électrode (2) et de la marche verticale (6), de façon à obtenir un canal à semi-conducteur vertical entre l'électrode de drain et de source (2, 5). Dans un JFET, le matériau semi-conducteur (8) vient en contact direct avec l'électrode de grille (4). Dans un MOSFET, un isolant de grille vertical (7) est situé entre l'électrode de grille (4) et le matériau semi-conducteur (8).

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Profile ID: LFCA-PAI-O-1595535