C - Chemistry – Metallurgy – 23 – C
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
23
C
C23C 14/30 (2006.01) C23C 14/02 (2006.01) C23C 14/32 (2006.01) H01J 37/305 (2006.01) H01J 37/32 (2006.01)
Patent
CA 2411174
Plasma deposition apparatus (1) and method that allows metal or nonmetal vapor (6) to be generated by electron-beam evaporation, guides that vapor using a noble gas stream (containing reactive gases in cases of reactive evaporation), ionizes the dense directed gas and vapor stream at working pressures above about 0.0001 mbar using a hollow cathode plasma arc discharge (11), and conveys the ionized vapor and/or gas stream towards the substrate (4) for impact on the surface at energies varying from thermal levels (as low as about 0.05 eV) up to about 300 eV.
L'invention concerne un appareil et un procédé de dépôt par plasma (1) qui permettent la génération de vapeur métallique ou non métallique (6) par évaporation par faisceau électronique, qui guident cette vapeur au moyen d'un flux de gaz noble (contenant des gaz réactifs en cas d'évaporation réactive), qui ionisent le gaz et le flux de vapeur dirigés à des pressions de travail dépassant les 0,0001 mbar au moyen d'une décharge d'arc de plasma à cathode creuse (11), enfin qui transportent la vapeur et/ou le flux de vapeur ionisés en direction du substrat (4) afin qu'ils viennent percuter la surface à des énergies variant par rapport aux niveaux thermiques (pouvant descendre jusqu'à 0,05 eV) jusqu'à environ 300 eV.
Groves James F.
Hass Derek
Mattausch Goesta
Morgner Henry
Schiller Siegfried
Bereskin & Parr Llp/s.e.n.c.r.l.,s.r.l.
Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung
University Of Virginia Patent Foundation
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-2017711