G - Physics – 02 – F
Patent
G - Physics
02
F
G02F 1/025 (2006.01) G02B 6/12 (2006.01)
Patent
CA 2557509
An arrangement for actively controlling, in two dimensions, the manipulation of light within an SOI-based optical structure utilizes doped regions formed within the SOI layer and a polysilicon layer of a silicon-insulator-silicon capacitive (SISCAP) structure. The regions are oppositely doped so as to form an active device, where the application of a voltage potential between the oppositely doped regions functions to modify the refractive index in the affected area and alter the properties of an optical signal propagating through the region. The doped regions may be advantageously formed to exhibit any desired "shaped" (such as, for example, lenses, prisms, Bragg gratings, etc.), so as to manipulate the propagating beam as a function of the known properties of these devices. One or more active devices of the present invention may be included within a SISCAP formed, SOI-based optical element (such as, for example, a Mach-Zehnder interferometer, ring resonator, optical switch, etc.) so as to form an active, tunable element.
L'invention porte sur un dispositif destiné à contrôler activement, en deux dimensions, la manipulation de la lumière dans une structure optique à base de SOI, ce dispositif utilisant des régions dopées formées dans la couche de SOI et une couche de polysilicium d'une structure capacitive silicium-isolant-silicium (SISCAP). Les régions sont dopées de façon opposée de manière à former un dispositif actif. L'application d'un potentiel de tension entre des fonctions des régions dopées de façon opposée permet de modifier l'indice de réfraction dans la zone affectée ainsi que les propriétés d'un signal optique se propageant dans la région. Les régions dopées peuvent être formées de manière avantageuse de façon à présenter une forme quelconque désirée (telle que lentilles, prismes, grilles de Bragg, etc.) de manière à manipuler le faisceau de propagation en fonction des propriétés connues de ces dispositifs. Un ou plusieurs dispositifs actifs de cette invention peuvent être inclus dans un élément optique à base de SOI, formée de SISCAP (tel qu'un interféromètre de Mach-Zehnder, un résonateur en anneau, un commutateur optique, etc.) de manière à former un élément accordable actif.
Ghiron Margaret
Gothoskar Prakash
Montgomery Robert Keith
Patel Vipulkumar
Pathak Soham
Borden Ladner Gervais Llp
Ghiron Margaret
Gothoskar Prakash
Montgomery Robert Keith
Patel Vipulkumar
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1800979