Adapting word line pulse widths in memory systems

Details Adapting word line pulse widths in memory systems Adapting word line pulse widths in memory systems

G - Physics

11

C

G11C 29/50 (2006.01)

Patent

CA 2709424

Systems, circuits and methods for adapting word line (WL) pulse widths used in memory systems are disclosed. One embodiment of the invention is directed to an apparatus comprising a memory system. The memory system comprises: a memory operating according to a wordline (WL) pulse with an associated WL pulse width; a built-in self-test (BIST) unit that interfaces with the memory, the BIST unit being configured to run a self-test of the internal functionality of the memory and provide a signal indicating if the memory passed or failed the self-test; and an adaptive WL control circuit that interfaces with the BIST unit and the memory, the adaptive WL control circuit being configured to adjust the WL pulse width of the memory based on the signal provided by the BIST unit.

L'invention concerne des systèmes, des circuits et des procédés pour adapter des largeurs d'impulsions de lignes de mots (WL) utilisées dans des systèmes de mémoire. Un mode de réalisation de l'invention concerne un appareil comprenant un système de mémoire. Le système de mémoire comprend : une mémoire fonctionnant selon une impulsion de ligne de mots (WL) à laquelle est associée une largeur d'impulsion de ligne de mots (WL); une unité intégrée d'autodiagnostic (BIST) qui assure l'interface avec la mémoire, l'unité BIST étant configurée de façon à exécuter un autodiagnostic de la fonctionnalité interne de la mémoire et à générer un signal indiquant si la mémoire a passé l'autodiagnostic avec succès ou non; et un circuit de commande adaptive de ligne de mots (WL) qui assure l'interface avec l'unité BIST et la mémoire, le circuit de commande adaptive de ligne de mots (WL) étant configuré de façon à ajuster la largeur d'impulsion de ligne de mots (WL) de la mémoire sur la base du signal généré par l'unité BIST.

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