H - Electricity – 01 – L
Patent
H - Electricity
01
L
H01L 29/778 (2006.01) H01L 29/423 (2006.01) H01L 29/20 (2006.01)
Patent
CA 2453318
High electron mobility transistors (HEMTs) and methods of fabricating HEMTs are provided Devices according to embodiments of the present invention include a gallium nitride (GaN) channel layer and an aluminum gallium nitride (AlGaN) barrier layer on the channel layer. A first ohmic contact is provided on the barrier layer (16) to provide a source electrode (18) and a second ohmic contact is also provided on the barrier layer (16) and is spaced apart from the source electrode (18) to provide a drain electrode (20). A GaN-based cap segment (30) is provided on the barrier layer (16) between the source electrode (18) and the drain electrode (20). The GaN-based cap segment (30) has a first sidewall (31) adjacent and spaced apart from the source electrode (18) and may have a second sidewall (32) adjacent and spaced apart from the drain electrode (20). A non-ohmic contact is provided on the GaN-based cap segment (30) to provide a gate contact (22). The gate contact (22) has a first sidewall (27) which is substantially aligned with the first sidewall (31) of the GaN-based cap segment (30). The gate contact (22) extends only a portion of a distance between the first sidewall (31) and the second sidewall (32) of the GaN-based cap segment (30).
La présente invention concerne des transistors à haute mobilité électronique (HEMT) et des procédés de fabrication de ces transistors HEMT. Dans des modes de réalisation de l'invention, les dispositif comprennent une couche canal au nitrure de gallium (GaN) et une couche barrière au nitrure d'aluminium-gallium (AlGaN) sur la couche canal. Un premier contact ohmique est formé sur la couche barrière afin de constituer une électrode de source et un second contact ohmique est également formé sur la couche barrière, espacé de l'électrode de source, afin de constituer une électrode de drain. Un segment superficiel à base de GaN est formé sur la couche barrière, entre l'électrode de source et l'électrode de drain. Le segment superficiel à base de GaN précité possède une première paroi latérale adjacente à l'électrode de source et espacée par rapport à celle-ci, et il peut posséder une seconde paroi latérale adjacente à l'électrode de drain et espacée par rapport à celle-ci. Un contact non ohmique est formé sur le segment superficiel à base de GaN afin de constituer un contact de grille. Le contact de grille possède une première paroi latérale qui est sensiblement alignée par rapport à la première paroi latérale du segment superficiel à base de GaN. Le contact de grille ne s'étend que sur une partie de la distance entre la première paroi latérale et la seconde paroi latérale du segment superficiel à base de GaN.
Cree Inc.
Sim & Mcburney
LandOfFree
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