G - Physics – 03 – F
Patent
G - Physics
03
F
G03F 7/42 (2006.01) C11D 7/08 (2006.01) C11D 7/10 (2006.01) C11D 11/00 (2006.01)
Patent
CA 2544198
The invention provides alkaline compositions useful in the microelectronics industry for stripping or cleaning semiconductor wafer substrates by removing photoresist residues and other unwanted contaminants. The compositions contain (a) one or more bases and (b) one or more metal corrosion inhibiting metal halides of the formula: WzMXy where M is a metal selected from the group Si, Ge, Sn, Pt, P, B, Au, Ir, Os, Cr, Ti, Zr, Rh, Ru, and Sb; X is a halide selected from F, CI, Br and I; W is selected from H, to an alkali or alkaline earth metal, and a metal ion-free hydroxide base moiety; y is a numeral of from 4 to 6 depending on the metal halide; and z is a numeral of 1, 2 or 3.
Compositions alcalines utiles dans l'industrie de la micro-électronique pour décaper ou nettoyer des substrats sous forme de tranches de semi-conducteur par élimination des restes de résine photosensible et d'autres contaminants non désirés. Lesdites compositions contiennent (a) une ou plusieurs bases et (b) un ou plusieurs halogénures métalliques inhibant la corrosion métallique de formule W¿z?MX¿y? dans laquelle M représente un métal choisi dans le groupe constitué par Si, Ge, Sn, Pt, P, B, Au, Ir, Os, Cr, Ti, Zr, Rh, Ru et Sb, X représente un halogénure choisi parmi F, CI, Br et I, W est sélectionné parmi H, un métal alcalin ou alcalino-terreux et une fraction base hydroxyde exempte d'ions métalliques, y représente un nombre de 4 à 6 en fonction de l'halogénure métallique et z représente un nombre égal à 1, 2 ou 3.
Avantor Performance Materials Inc.
Mallinckrodt Baker Inc.
Osler Hoskin & Harcourt Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1883293