Aluminum-silicon alloys having improved mechanical properties

C - Chemistry – Metallurgy – 22 – F

Patent

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C22F 1/04 (2006.01) C22C 21/02 (2006.01) C22F 1/043 (2006.01)

Patent

CA 2465683

The invention relates to a heat treatment method for articles composed of substantially Al-Si alloys that contain a eutectic phase, and to articles that consist of these alloys. In order to improve the ductility of the material or to increase the elongation after fracture, an annealing process is carried out in the form of shock annealing, said process comprising the following steps: rapidly heating the material to an annealing temperature of from 400 to 555 ~C, maintaining it at this temperature for a period of not more than 14.8 minutes, force-cooling it, and then aging the article. The inventive article comprises spheroidized silicon precipitations in the eutectic phase portion with an average plane of section ASi of less than 4 µm2 and/or an average distance between the silicon particles .lambda.Si of less than 4 µm and/or an average spheroidization density .xi.Si of greater than 10.

L'invention concerne un procédé de traitement thermique d'objets constitués d'alliages majoritairement Al-Si contenant une phase eutectique. L'invention concerne également des objets constitués de ces alliages. Selon l'invention, pour améliorer la ductilité du matériau et augmenter les valeurs d'allongement à la rupture, les objets sont soumis à un traitement de recuit, en particulier un recuit par choc consistant à chauffer rapidement les objets à une température de recuit comprise entre 400 et 555 ·C, à maintenir les objets à cette température pendant une durée de 14,8 minutes au maximum, puis à soumettre les objets à un refroidissement forcé entraînant un durcissement de ceux-ci par précipitation. Les objets selon l'invention comprennent des dépôts de silicium à sphéroïdisation dans la partie de phase eutectique, ces dépôts présentant une superficie en coupe moyenne A¿Si? inférieure à 4 µm?2¿ et/ou une distance moyenne .lambda.¿Si? entre les particules de silicium inférieure à 4 µm et/ou une densité de sphéroïdisation moyenne .xi.¿Si? supérieure à 10.

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