Capacitor and method for manufacturing the same

Details Capacitor and method for manufacturing the same Capacitor and method for manufacturing the same

H - Electricity

01

G

H01G 9/07 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01)

Patent

CA 2361737

A lower electrode (4), a dielectric layer (5) made of a ferroelectric material or a high dielectric constant material, and an upper electrode (6) are formed in order on an insulating film (2). The dielectric layer (5) overlaps the lower electrode (4). Between the overlapping portion of the dielectric layer (5) and the insulating film (2), an insulation barrier layer (3) made of two or more complex metal oxides containing Si or silicon nitride compounds is interposed. In another mode, a plug for contact is provided in an insulating film, and an adherence layer is provided between the plug and the lower electrode. An insulation barrier layer made of an oxide which is the same material forming the adherence layer is provided between the dielectric layer and the insulating film. As a result, Ti and Pb, which are constituent elements of the ferroelectric material or high dielectric constant material do not diffuse into and enter an SiO2 film and a semiconductor layer, enabling easy formation of a barrier layer.

Une électrode inférieure (4), une couche de diélectrique (5) en matériau ferroélectrique ou en matériau à constante diélectrique élevée, et une électrode supérieure (6) sont formées dans l'ordre sur un film d'isolation (2). La couche de diélectrique (5) recouvre l'électrode inférieure (4). Entre la partie de recouvrement de la couche de diélectrique (5) et le film d'isolation (2) une couche barrière (3) d'isolation constituée de plusieurs oxyde métalliques complexes contenant Si ou des composés de nitrure de silicium est interposée. Selon un autre mode de réalisation, une prise permettant un contact est installée sur le film d'isolation, et une couche adhésive est placée entre ladite prise et l'électrode inférieure. La couche barrière d'isolation constituée d'un oxyde du même matériau que la couche adhésive est placée entre la couche de diélectrique et le film d'isolation. En conséquence, Ti et Pb, qui sont des éléments constituants du matériau ferroélectrique ou du matériau à constante diélectrique élevée ne diffusent ni n'entrent dans un film SiO¿2?, et une couche semi-conductrice, ce qui permet de former facilement une couche barrière.

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