C - Chemistry – Metallurgy – 11 – D
Patent
C - Chemistry, Metallurgy
11
D
C11D 11/00 (2006.01) C11D 3/20 (2006.01) C11D 3/30 (2006.01) C11D 3/43 (2006.01) C11D 7/26 (2006.01) C11D 7/32 (2006.01) C11D 7/50 (2006.01) G03F 7/42 (2006.01) H05K 3/26 (2006.01)
Patent
CA 2575991
A stripping and cleaning composition for cleaning microelectronics substrates, the composition comprising: at least one organic stripping solvent, at least one nucleophilic amine, at least one non-nitrogen containing weak acid in an amount sufficient to neutralize from about 3% to about 75% by weight of the nucleophilic amine such that the stripping composition has an aqueous pH of from about 9.6 to about 10.9, said weak acid having a pK value in aqueous solution of 2.0 or greater and an equivalent weight of less than 140, at least one metal-removing compound selected from the group consisting of diethylene glycol and diethylene glycolamine, and water, and method for cleaning microelectronic substrates with these compositions.
La présente invention concerne une composition de décapage et de nettoyage pour le nettoyage de substrats microélectroniques, la composition comprenant : au moins un solvant organique de décapage, au moins une amine nucléophile, au moins un acide faible non azoté dans une quantité suffisante pour neutraliser d~environ 3 % à environ 75 % en poids de l~amine nucléophile de sorte que la composition de décapage a un pH en solution aqueuse d'environ 9,6 à environ 10,9, ledit acide faible ayant une valeur de pK en solution aqueuse de 2,0 ou plus et un poids équivalent inférieur à 140, au moins un composé d'élimination du métal sélectionné dans le groupe constitué du diéthylèneglycol et du diéthylèneglycolamine, et de l~eau ainsi qu~un procédé de nettoyage des substrats microélectroniques avec ces compositions.
Avantor Performance Materials Inc.
Mallinckrodt Baker Inc.
Osler Hoskin & Harcourt Llp
LandOfFree
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Profile ID: LFCA-PAI-O-1833323