Cmos-compatible integration of silicon-based optical devices...

H - Electricity – 01 – L

Patent

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H01L 21/76 (2006.01)

Patent

CA 2520972

A conventional CMOS fabrication technique is used to integrate the formation of passive optical devices and active electro-optic devices with standard CMOS electrical devices on a common SOI structure. The electrical devices and optical devices share the same surface SOI layer (a relatively thin, single crystal silicon layer), with various required semiconductor layers then formed over the SOI layer. In some instances, a set of process steps may be used to simultaneously form regions in both electrical and optical devices. Advantageously, the same metallization process is used to provide electrical connections to the electrical devices and the active electro-optic devices.

L'invention concerne une technique de fabrication habituelle de CMOS que l'on utilise pour intégrer la formation de dispositifs optiques passifs et de dispositifs électro-optiques actifs avec des dispositifs électriques CMOS standard sur une structure SOI commune. Les dispositifs électriques et les dispositifs optiques partagent la même surface de couche SOI (une couche de silicium monocristalline relativement mince), avec plusieurs couches de semi-conducteurs nécessaires formées ensuite sur la couche SOI. Dans certains cas, on peut utiliser plusieurs étapes pour former simultanément des zones dans les dispositifs électriques et optiques à la fois. De manière avantageuse, le même procédé de métallisation sert à obtenir des connexions électriques pour les dispositifs électriques et les dispositifs électro-optiques actifs.

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